### **Specifications:**  
- **Type:** NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor  
- **Application:** High-frequency amplification, RF applications  
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 30V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 15V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 3V  
- **Collector Current (IC):** 30mA  
- **Total Power Dissipation (PT):** 150mW  
- **Transition Frequency (fT):** 600MHz  
- **Noise Figure (NF):** 3dB (typical at 100MHz)  
- **Package:** TO-92  

### **Descriptions and Features:**  
- Designed for **high-frequency amplification** in RF circuits.  
- Low noise performance suitable for **VHF/UHF applications**.  
- Epitaxial planar construction ensures **high reliability**.  
- Commonly used in **oscillators, mixers, and RF amplifiers**.  

For exact datasheet details, refer to Toshiba's official documentation.