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LQW18AN6N8D00D from

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LQW18AN6N8D00D

Chip Inductor (Chip Coil) for High Frequency Horizontal Wire Wound

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
LQW18AN6N8D00D 6427 In Stock

Description and Introduction

Chip Inductor (Chip Coil) for High Frequency Horizontal Wire Wound The **LQW18AN6N8D00D** is a multilayer chip inductor manufactured by **Murata Electronics**.  

### **Specifications:**  
- **Inductance:** 6.8 nH  
- **Tolerance:** ±5%  
- **DC Resistance (DCR):** 0.03 Ω (max)  
- **Rated Current:** 1.6 A  
- **Self-Resonant Frequency (SRF):** 4.5 GHz (min)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +125°C  
- **Package Size:** 0603 (1608 metric)  

### **Descriptions:**  
- **Type:** Thin-film multilayer inductor  
- **Material:** Ferrite-based  
- **Shielding:** Non-shielded  
- **Termination:** Nickel/Tin (Ni/Sn) plating  

### **Features:**  
- High-frequency performance  
- Low DC resistance  
- Compact 0603 size for space-saving designs  
- Suitable for RF and microwave applications  
- RoHS compliant  

This inductor is commonly used in **RF circuits, wireless communication modules, and high-frequency signal processing applications**.

Application Scenarios & Design Considerations

Chip Inductor (Chip Coil) for High Frequency Horizontal Wire Wound # Technical Documentation: LQW18AN6N8D00D Multilayer Chip Inductor

## 1. Application Scenarios

### 1.1 Typical Use Cases
The LQW18AN6N8D00D is a high-frequency multilayer chip inductor designed for RF and microwave applications. Its primary use cases include:

-  Impedance Matching Networks : Used in antenna matching circuits, RF amplifier input/output matching, and transmission line impedance transformation
-  RF Filtering : Essential component in bandpass, low-pass, and high-pass filters for frequency selection and noise suppression
-  DC Bias Circuits : Provides RF choke functionality while allowing DC bias to pass through in amplifier and mixer circuits
-  Resonant Circuits : Forms LC tank circuits in oscillators, frequency synthesizers, and resonant matching networks
-  EMI Suppression : Attenuates high-frequency noise in power supply lines and signal paths

### 1.2 Industry Applications

#### Telecommunications
-  5G/4G Base Stations : Used in power amplifier modules, duplexers, and front-end modules
-  Mobile Devices : Smartphone RF front-end circuits, WiFi/Bluetooth modules, and GPS receivers
-  Satellite Communications : Low-noise amplifiers and up/down converters in satellite transceivers

#### Automotive Electronics
-  V2X Communication Systems : Vehicle-to-everything communication modules
-  ADAS Sensors : Radar systems operating at 24GHz and 77GHz frequency bands
-  Infotainment Systems : GPS and cellular connectivity modules

#### Industrial & Medical
-  Industrial IoT : Wireless sensor networks and industrial automation systems
-  Medical Devices : Wireless patient monitoring equipment and medical telemetry systems
-  Test & Measurement : Spectrum analyzers, network analyzers, and signal generators

#### Consumer Electronics
-  WiFi 6/6E Routers : High-frequency filtering and impedance matching
-  Smart Home Devices : Wireless connectivity modules
-  Wearable Technology : Compact RF circuits in smartwatches and fitness trackers

### 1.3 Practical Advantages and Limitations

#### Advantages
-  High Q Factor : Excellent quality factor (typically >50 at 100MHz) reduces insertion loss in resonant circuits
-  High Self-Resonant Frequency (SRF) : SRF > 2GHz ensures stable performance in RF applications
-  Compact Size : 0603 package (1.6×0.8×0.8mm) saves PCB space in dense layouts
-  Excellent High-Frequency Performance : Low parasitic capacitance and resistance at RF frequencies
-  Good Temperature Stability : ±0.03%/°C temperature coefficient maintains consistent performance
-  RoHS Compliance : Environmentally friendly construction

#### Limitations
-  Limited Current Rating : Maximum rated current of 200mA restricts use in high-power applications
-  Saturation Concerns : Magnetic saturation can occur at high DC bias currents, affecting inductance
-  Frequency Limitations : Performance degrades above self-resonant frequency
-  Handling Sensitivity : Susceptible to mechanical stress during assembly due to ceramic construction
-  Limited Inductance Range : Fixed 6.8nH value restricts design flexibility

## 2. Design Considerations

### 2.1 Common Design Pitfalls and Solutions

#### Pitfall 1: Ignoring Self-Resonant Frequency (SRF)
 Problem : Operating near or above SRF causes inductive behavior to become capacitive
 Solution : 
- Always verify SRF is at least 20% above operating frequency
- Use manufacturer's SRF vs. frequency charts for accurate selection
- Consider parallel resonance effects in filter designs

#### Pitfall 2: DC Bias Current Oversight
 Problem : Inductance drops significantly with applied DC bias
 Solution :
- Calculate maximum DC current in circuit
- Refer to DC bias characteristic curves

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
LQW18AN6N8D00D MURATA 891 In Stock

Description and Introduction

Chip Inductor (Chip Coil) for High Frequency Horizontal Wire Wound The **LQW18AN6N8D00D** is a multilayer ceramic inductor manufactured by **Murata**. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual data:  

### **Specifications:**  
- **Inductance:** 6.8 nH (±5%)  
- **Tolerance:** ±5%  
- **DC Resistance (DCR):** 0.03 Ω (max)  
- **Rated Current:** 1.2 A  
- **Self-Resonant Frequency (SRF):** 6.5 GHz (min)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +125°C  
- **Package Size:** 0603 (1.6 mm × 0.8 mm)  
- **Height:** 0.8 mm  

### **Descriptions:**  
- **Type:** High-frequency, high-Q multilayer inductor  
- **Material:** Ceramic (non-magnetic)  
- **Termination:** Nickel/tin-plated for solderability  
- **Applications:** RF circuits, mobile communication devices, high-frequency signal processing  

### **Features:**  
- **High-Q Performance:** Suitable for RF and microwave applications  
- **Low DC Resistance:** Minimizes power loss  
- **Compact Size:** 0603 footprint for space-constrained designs  
- **Stable Inductance:** Maintains performance over a wide frequency range  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards  

This inductor is commonly used in **RF modules, wireless communication devices, and high-speed signal circuits**.  

(Source: Murata datasheet and product specifications.)

Application Scenarios & Design Considerations

Chip Inductor (Chip Coil) for High Frequency Horizontal Wire Wound # Technical Documentation: LQW18AN6N8D00D Inductor

 Manufacturer : Murata  
 Component Type : Wire-Wound Chip Inductor  
 Part Number : LQW18AN6N8D00D  

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## 1. Application Scenarios (45% of Content)

### Typical Use Cases
The LQW18AN6N8D00D is a high-frequency, high-Q wire-wound inductor designed for RF and microwave applications. Its primary use cases include:

-  Impedance Matching Networks : Used in antenna matching circuits, RF amplifier input/output matching, and transmission line termination
-  Resonant Circuits : Essential component in LC tank circuits for oscillators, filters, and tuned amplifiers
-  RF Chokes : Provides high impedance at operating frequencies while allowing DC or low-frequency signals to pass
-  DC-DC Converters : High-frequency switching power supplies where low core loss is critical
-  EMI Filtering : Common-mode and differential-mode filtering in high-frequency circuits

### Industry Applications
-  Telecommunications : 5G infrastructure, base stations, RF transceivers, and satellite communication systems
-  Wireless Connectivity : Wi-Fi 6/6E/7, Bluetooth, Zigbee, and IoT devices operating in 2.4GHz and 5GHz bands
-  Automotive Electronics : V2X communication, radar systems (24GHz, 77GHz), and infotainment systems
-  Medical Devices : Wireless medical telemetry, implantable devices, and diagnostic equipment
-  Test & Measurement : Spectrum analyzers, network analyzers, and signal generators

### Practical Advantages
-  High Q Factor : Typically 80-100 at 100MHz, minimizing insertion loss in resonant circuits
-  Excellent Self-Resonant Frequency (SRF) : 3.8GHz minimum, ensuring stable performance in target frequency bands
-  Low DC Resistance : 0.06Ω maximum, reducing power loss and thermal issues
-  Compact Size : 0603 footprint (1.6×0.8mm) with height of 0.8mm, suitable for high-density designs
-  Temperature Stability : ±0.03×10⁻⁶/°C temperature coefficient, maintaining consistent performance across operating temperatures

### Limitations
-  Current Handling : Limited to 500mA RMS, unsuitable for high-power applications
-  Saturation Current : 300mA typical, may require derating in high-current designs
-  Frequency Range : Optimal performance between 10MHz-3GHz, with degradation above SRF
-  Mechanical Sensitivity : Wire-wound construction is more susceptible to mechanical stress than multilayer designs
-  Cost Considerations : Higher cost compared to multilayer inductors with similar inductance values

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## 2. Design Considerations (35% of Content)

### Common Design Pitfalls and Solutions

 Pitfall 1: Operating Near Self-Resonant Frequency 
-  Problem : Inductor behaves capacitively above SRF, causing unexpected circuit behavior
-  Solution : Ensure operating frequency is ≤70% of SRF (≤2.66GHz for this component)

 Pitfall 2: Current Saturation 
-  Problem : Inductance drops significantly when approaching saturation current
-  Solution : Derate by 20-30% for reliable operation (use ≤240mA DC bias)

 Pitfall 3: Thermal Management 
-  Problem : Self-heating at high frequencies reduces Q factor and changes inductance
-  Solution : Implement thermal vias in PCB and maintain adequate airflow

 Pitfall 4: Mechanical Stress 
-  Problem : Board flexure can damage wire bonds or change inductance
-  Solution : Avoid placement near board edges or mounting points

### Compatibility Issues

 With Active Components: 
-  RF Amplifiers :

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