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LQW15AN12NG00D from

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LQW15AN12NG00D

Chip Inductor (Chip Coil) for High Frequency Horizontal Wire Wound

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
LQW15AN12NG00D 13300 In Stock

Description and Introduction

Chip Inductor (Chip Coil) for High Frequency Horizontal Wire Wound The LQW15AN12NG00D is a multilayer chip inductor manufactured by Murata. Here are its key specifications, descriptions, and features:  

### **Specifications:**  
- **Inductance:** 12 nH (±5%)  
- **DC Resistance (DCR):** 0.04 Ω (max)  
- **Rated Current:** 1.2 A  
- **Self-Resonant Frequency (SRF):** 3.8 GHz (min)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +125°C  
- **Size (L x W x H):** 1.6 mm x 0.8 mm x 0.8 mm (0603 inch size)  

### **Descriptions:**  
- **Type:** High-frequency, multilayer ceramic inductor  
- **Material:** Ferrite-based construction for stable inductance  
- **Applications:** RF circuits, mobile devices, wireless communication, and high-frequency filtering  

### **Features:**  
- **High-Q Performance:** Suitable for RF and microwave applications  
- **Compact Size:** Ideal for space-constrained PCB designs  
- **Reliable Construction:** Robust ceramic structure for stable performance  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards  

This inductor is commonly used in RF matching circuits, impedance matching, and noise suppression in high-frequency applications.

Application Scenarios & Design Considerations

Chip Inductor (Chip Coil) for High Frequency Horizontal Wire Wound # Technical Documentation: LQW15AN12NG00D Multilayer Chip Inductor

## 1. Application Scenarios

### 1.1 Typical Use Cases
The LQW15AN12NG00D is a high-frequency multilayer chip inductor designed for RF and microwave applications. Its primary use cases include:

 Impedance Matching Networks 
- Used in antenna matching circuits to optimize power transfer between RF stages
- Common in 50Ω matching networks for transceiver front-ends
- Employed in balun circuits for single-ended to differential conversion

 RF Filtering Applications 
- LC filter elements in bandpass and low-pass configurations
- EMI suppression in high-frequency digital circuits
- Harmonic filtering in power amplifier output stages

 Resonant Circuits 
- Tank circuits in voltage-controlled oscillators (VCOs)
- Resonant matching in RF power amplifiers
- Timing elements in high-frequency clock circuits

### 1.2 Industry Applications

 Wireless Communications 
-  5G NR Devices : Used in sub-6 GHz front-end modules (FEMs) for impedance matching
-  Wi-Fi 6/6E Systems : Integrated into 2.4 GHz and 5 GHz RF chains
-  Bluetooth Modules : Employed in matching networks for BLE transceivers
-  Cellular Infrastructure : Base station power amplifier matching networks

 Automotive Electronics 
-  V2X Communication Systems : Radar and DSRC applications at 5.9 GHz
-  Infotainment Systems : GPS and satellite radio receivers
-  ADAS Sensors : Radar signal conditioning circuits

 Consumer Electronics 
-  Smartphones : RF front-end impedance matching
-  IoT Devices : Low-power wireless module integration
-  Wearable Technology : Compact RF circuit designs

 Medical Devices 
-  Wireless Medical Telemetry : Patient monitoring systems
-  Implantable Devices : Low-power communication circuits

### 1.3 Practical Advantages and Limitations

 Advantages: 
-  High Q Factor : Typically 40-60 at 100 MHz, ensuring minimal insertion loss
-  Compact Size : 0402 footprint (1.0 × 0.5 mm) enables high-density PCB designs
-  Excellent High-Frequency Performance : Self-resonant frequency above 3 GHz
-  Temperature Stability : ±0.03%/°C temperature coefficient
-  RoHS Compliance : Lead-free construction for environmental compliance

 Limitations: 
-  Current Handling : Limited to 100 mA maximum rated current
-  Saturation Characteristics : Magnetic saturation occurs at approximately 30% above rated current
-  Power Handling : Not suitable for high-power RF applications (>1W)
-  Frequency Range : Performance degrades above self-resonant frequency (3.2 GHz typical)
-  Mechanical Sensitivity : Susceptible to board flex and mechanical stress

## 2. Design Considerations

### 2.1 Common Design Pitfalls and Solutions

 Pitfall 1: Ignoring Self-Resonant Frequency (SRF) 
-  Problem : Using inductor above SRF where it behaves capacitively
-  Solution : Verify operating frequency is at least 20% below SRF (2.5 GHz maximum for reliable operation)

 Pitfall 2: Overlooking Current Ratings 
-  Problem : Inductor saturation causing inductance drop and increased losses
-  Solution : 
  - Calculate peak current using: I_peak = √(2 × P_out / R_load)
  - Maintain 30% margin below saturation current
  - Consider parallel inductors for higher current applications

 Pitfall 3: Thermal Management Issues 
-  Problem : Temperature rise affecting inductance stability
-  Solution :
  - Implement thermal vias in PCB pad design
  - Maintain minimum 0.5 mm clearance from

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
LQW15AN12NG00D MURATA 23831 In Stock

Description and Introduction

Chip Inductor (Chip Coil) for High Frequency Horizontal Wire Wound The **MURATA LQW15AN12NG00D** is a surface mount inductor with the following specifications and features:  

### **Specifications:**  
- **Inductance:** 12 nH (±2%)  
- **Tolerance:** ±2%  
- **Current Rating:** 1.3 A (DC)  
- **DC Resistance (DCR):** 0.032 Ω (max)  
- **Self-Resonant Frequency (SRF):** 4.5 GHz (min)  
- **Operating Temperature Range:** -40°C to +85°C  
- **Package Size:** 0402 (1.0 x 0.5 mm)  

### **Descriptions & Features:**  
- High-frequency RF inductor designed for wireless applications.  
- Low DC resistance for minimal power loss.  
- High self-resonant frequency (SRF) for stable performance in RF circuits.  
- Compact 0402 package for space-constrained designs.  
- Suitable for applications in mobile devices, Wi-Fi, Bluetooth, and other RF circuits.  
- AEC-Q200 qualified for automotive applications.  

This inductor is optimized for high-frequency signal integrity and efficiency in compact electronic designs.

Application Scenarios & Design Considerations

Chip Inductor (Chip Coil) for High Frequency Horizontal Wire Wound # Technical Documentation: LQW15AN12NG00D Inductor

## 1. Application Scenarios

### Typical Use Cases
The LQW15AN12NG00D is a high-frequency wire-wound inductor designed for RF and microwave applications. Its primary use cases include:

-  Impedance Matching Networks : Used in antenna matching circuits, RF amplifier input/output matching, and transmission line impedance transformation
-  RF Filtering : Essential component in LC filters for bandpass, low-pass, and high-pass configurations in communication systems
-  DC-DC Converters : High-frequency switching applications where low DC resistance and high current handling are critical
-  RF Chokes : Blocking RF signals while allowing DC or low-frequency signals to pass in bias tees and amplifier circuits
-  Oscillator Circuits : Tank circuit components in VCOs and crystal oscillator matching networks

### Industry Applications
-  Wireless Communications : 5G infrastructure, LTE base stations, Wi-Fi 6/6E access points, and IoT devices
-  Automotive Electronics : V2X communication systems, GPS modules, and infotainment systems
-  Medical Devices : Wireless monitoring equipment, implantable devices, and diagnostic instruments
-  Aerospace & Defense : Radar systems, satellite communications, and avionics
-  Consumer Electronics : Smartphones, tablets, wearables, and smart home devices

### Practical Advantages
-  High Q Factor : Excellent quality factor (typically >50 at 100 MHz) minimizes insertion loss in resonant circuits
-  Low DC Resistance : 0.12Ω maximum reduces power loss and heating in high-current applications
-  Compact Size : 1.0×0.5mm footprint enables high-density PCB designs
-  High Self-Resonant Frequency : SRF >3 GHz ensures stable performance in microwave applications
-  Excellent Temperature Stability : ±20ppm/°C temperature coefficient maintains consistent performance across operating conditions

### Limitations
-  Current Handling : Maximum rated current of 200mA may be insufficient for high-power applications
-  Saturation Characteristics : Magnetic saturation can occur at high current levels, reducing inductance
-  Frequency Limitations : Performance degrades near self-resonant frequency
-  Mechanical Sensitivity : Wire-wound construction may be susceptible to mechanical stress and vibration

## 2. Design Considerations

### Common Design Pitfalls and Solutions

 Pitfall 1: Proximity Effects 
-  Issue : Nearby components or ground planes can alter inductance values
-  Solution : Maintain minimum clearance of 0.5mm from other components and ground pours

 Pitfall 2: Thermal Management 
-  Issue : Self-heating at high currents can shift inductance values
-  Solution : Implement thermal relief pads and ensure adequate airflow in high-current applications

 Pitfall 3: Parasitic Effects 
-  Issue : Stray capacitance and lead inductance affect high-frequency performance
-  Solution : Use shortest possible traces and minimize parallel trace routing

### Compatibility Issues

 With Active Components: 
-  RF Amplifiers : Ensure inductor Q factor matches amplifier noise figure requirements
-  Oscillators : Verify temperature stability aligns with frequency stability requirements
-  Switching Regulators : Confirm saturation current exceeds peak switching currents

 With Passive Components: 
-  Capacitors : Match temperature coefficients with tuning capacitors in resonant circuits
-  Resistors : Consider parasitic inductance when used in combination with precision resistors
-  Other Inductors : Avoid mutual coupling by maintaining proper spacing (≥3× component height)

### PCB Layout Recommendations

 General Guidelines: 
1.  Placement Priority : Position as close as possible to active components (typically within 5mm)
2.  Orientation : Align inductors perpendicular to each other to minimize mutual coupling
3.  Reference Planes : Avoid placing over split

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