### **Specifications:**  
- **Type:** NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Package:** SOT-23  
- **Polarity:** NPN  
- **Maximum Collector-Base Voltage (V_CB):** 50V  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (V_CE):** 50V  
- **Maximum Emitter-Base Voltage (V_EB):** 5V  
- **Continuous Collector Current (I_C):** 100mA  
- **Total Power Dissipation (P_tot):** 225mW  
- **DC Current Gain (h_FE):** 100 - 600  
- **Transition Frequency (f_T):** 100MHz  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions and Features:**  
- Designed for general-purpose amplification and switching applications.  
- High current gain (h_FE) for improved signal amplification.  
- Low saturation voltage for efficient switching.  
- Small SOT-23 package for space-constrained applications.  
- Suitable for consumer electronics, industrial controls, and automotive applications.  

This information is based on the manufacturer's datasheet. For detailed performance characteristics, refer to the official LRC documentation.