**Part Number:** L8050PLT1G  

**Specifications:**  
- **Type:** NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Package:** SOT-23  
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 40V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 25V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 5V  
- **Collector Current (IC):** 500mA  
- **Power Dissipation (PD):** 225mW  
- **DC Current Gain (hFE):** 110 to 800 (at IC = 100mA, VCE = 1V)  
- **Transition Frequency (fT):** 100MHz (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

**Descriptions and Features:**  
- General-purpose NPN transistor for amplification and switching applications.  
- Low saturation voltage for improved efficiency.  
- High current gain (hFE) for signal amplification.  
- Suitable for surface-mount applications due to SOT-23 package.  
- RoHS compliant and lead-free.  

(Source: ON Semiconductor datasheet for L8050PLT1G)