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LN4SB60 from

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LN4SB60

General Purpose Rectifiers(600V 4A)

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
LN4SB60 13550 In Stock

Description and Introduction

General Purpose Rectifiers(600V 4A) The LN4SB60 is a power MOSFET manufactured by ON Semiconductor. Below are the factual details from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer Specifications:**  
- **Manufacturer:** ON Semiconductor  
- **Category:** Power MOSFET  
- **Type:** N-Channel  
- **Package:** TO-263 (D2PAK)  

### **Electrical Characteristics:**  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 50A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 200A  
- **Power Dissipation (PD):** 150W  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 4.5mΩ (max) at VGS = 10V  

### **Features:**  
- Low on-resistance for high efficiency  
- Fast switching performance  
- Avalanche energy specified  
- Lead-free and RoHS compliant  

### **Applications:**  
- DC-DC converters  
- Motor control  
- Power management in automotive and industrial systems  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet.

Application Scenarios & Design Considerations

General Purpose Rectifiers(600V 4A) # Technical Documentation: LN4SB60 Schottky Barrier Diode

## 1. Application Scenarios

### 1.1 Typical Use Cases
The LN4SB60 is a 60V, 4A surface-mount Schottky barrier diode primarily employed in  high-frequency switching applications  where low forward voltage drop and fast recovery characteristics are critical. Its primary use cases include:

*    Switching Power Supply Output Rectification:  Used in buck, boost, and flyback converter secondary sides for synchronous rectification or as a freewheeling diode, significantly improving efficiency compared to standard PN junction diodes.
*    Reverse Polarity Protection:  Placed in series with the power input rail to block current flow if the supply is connected backwards, leveraging its low forward voltage to minimize power loss during normal operation.
*    OR-ing Diodes in Redundant Power Supplies:  Prevents current backfeed from one power source to another in systems with multiple input sources or battery backup.
*    High-Frequency Signal Demodulation & Clamping:  Utilized in RF and communication circuits due to its minimal junction capacitance and swift switching speed.

### 1.2 Industry Applications
*    Consumer Electronics:  DC-DC converter modules in laptops, set-top boxes, and gaming consoles.
*    Automotive Electronics:  Low-voltage DC-DC converters for infotainment systems, LED lighting drivers, and body control modules (within specified temperature ranges).
*    Industrial Power Systems:  Point-of-load (POL) converters, motor drive circuits, and uninterruptible power supply (UPS) systems.
*    Telecommunications:  Power over Ethernet (PoE) devices and base station power units.

### 1.3 Practical Advantages and Limitations

 Advantages: 
*    Low Forward Voltage Drop (Vf):  Typically ~0.55V at 4A, reducing conduction losses and heat generation.
*    Fast Switching Speed:  Virtually no reverse recovery time (trr < 10 ns typical), minimizing switching losses and enabling high-frequency operation (up to several hundred kHz).
*    High Surge Current Capability:  Can withstand high inrush currents, making it robust for capacitive load switching.
*    Surface-Mount Package (SMB/DO-214AA):  Saves board space and is compatible with automated assembly processes.

 Limitations: 
*    Higher Reverse Leakage Current:  Compared to PN diodes, Schottky diodes exhibit higher reverse leakage current (Ir), which increases significantly with temperature. This can be a critical factor in high-temperature environments.
*    Limited Reverse Voltage Rating:  The 60V rating is suitable for low-to-medium voltage applications. For higher voltage rails, alternative diodes (e.g., SiC Schottky or PN) must be considered.
*    Thermal Sensitivity:  Performance parameters, especially Vf and Ir, are strongly temperature-dependent. Adequate thermal management is essential.

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## 2. Design Considerations

### 2.1 Common Design Pitfalls and Solutions
*    Pitfall 1: Thermal Runaway due to High Leakage.  At elevated junction temperatures (Tj > 125°C), reverse leakage current can increase exponentially, leading to further heating.
    *    Solution:  Carefully model power dissipation (Pdiss = Vf * If(avg) + Ir * Vr) and ensure the operating Tj remains within safe limits (e.g., < 110°C for derating). Use sufficient copper pour for heatsinking.
*    Pitfall 2: Voltage Overshoot and Ringing.  The diode's fast switching can interact with parasitic inductance, causing voltage spikes exceeding the Vrrm rating.
    *    Solution:  Implement a snubber circuit (RC network) across the diode and minimize loop inductance through careful PCB layout.
*    Pitfall

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