High Voltage Transistor PNP Silicon RoHS requirements. The LMBT6520LT1G is a dual common emitter NPN transistor array manufactured by ON Semiconductor (LRC).  

### **Specifications:**  
- **Configuration:** Dual NPN transistor  
- **Package:** SOT-23 (SC-59)  
- **Maximum Collector-Base Voltage (V_CBO):** 50V  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (V_CEO):** 50V  
- **Maximum Emitter-Base Voltage (V_EBO):** 5V  
- **Continuous Collector Current (I_C):** 100mA per transistor  
- **Total Power Dissipation (P_D):** 225mW  
- **DC Current Gain (h_FE):** 100 to 300 (at I_C = 10mA, V_CE = 1V)  
- **Transition Frequency (f_T):** 300MHz (typical)  

### **Descriptions and Features:**  
- Designed for general-purpose amplification and switching applications.  
- Matched pair transistors with similar electrical characteristics.  
- Low saturation voltage for improved efficiency in switching applications.  
- High current gain bandwidth product (f_T).  
- Suitable for high-density PCB designs due to the compact SOT-23 package.  
- RoHS compliant and lead-free.  

This information is based on the manufacturer's datasheet. For detailed performance curves and application notes, refer to the official documentation.

High Voltage Transistor PNP Silicon RoHS requirements.

High Voltage Transistor PNP Silicon RoHS requirements. The LMBT6520LT1G is a dual common emitter NPN transistor array manufactured by ON Semiconductor.  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** ON Semiconductor  
- **Configuration:** Dual common emitter NPN transistor  
- **Package:** SOT-23 (3-Lead)  
- **Collector-Base Voltage (V_CBO):** 40V  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO):** 40V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EBO):** 5V  
- **Continuous Collector Current (I_C):** 200mA  
- **Total Power Dissipation (P_D):** 225mW  
- **DC Current Gain (h_FE):** 100 to 300 (at I_C = 10mA, V_CE = 1V)  
- **Transition Frequency (f_T):** 250MHz (typical)  

### **Descriptions and Features:**  
- Designed for general-purpose amplifier and switching applications.  
- Matched pair configuration for improved performance in differential circuits.  
- Low saturation voltage for efficient switching.  
- High current gain bandwidth product.  
- Suitable for surface-mount applications due to the SOT-23 package.  

For detailed electrical characteristics, refer to the manufacturer's datasheet.

High Voltage Transistor PNP Silicon RoHS requirements.