Dual Bias Resistor Transistor The LMBT3906DW1T1G is a PNP Bipolar Junction Transistor (BJT) manufactured by ON Semiconductor. Below are the factual details about its specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**  
- **Transistor Type:** PNP  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (V_CE):** -40V  
- **Maximum Collector-Base Voltage (V_CB):** -40V  
- **Maximum Emitter-Base Voltage (V_EB):** -5V  
- **Continuous Collector Current (I_C):** -200mA  
- **Total Power Dissipation (P_D):** 200mW  
- **DC Current Gain (h_FE):** 100 to 300 (at I_C = -10mA, V_CE = -1V)  
- **Transition Frequency (f_T):** 250MHz  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Package:**  
- **Package Type:** SOT-363 (SC-88)  
- **Number of Pins:** 6  
- **Mounting Type:** Surface Mount  

### **Features:**  
- High current gain (h_FE)  
- Low saturation voltage  
- High-speed switching capability  
- Designed for general-purpose amplification and switching applications  
- RoHS compliant  

### **Applications:**  
- Signal amplification  
- Switching circuits  
- Driver stages  
- General-purpose PNP transistor applications  

This information is based on the manufacturer's datasheet for the LMBT3906DW1T1G.

Dual Bias Resistor Transistor