General Purpose Transistors The LMBT3904WT1G is a general-purpose NPN bipolar junction transistor (BJT) manufactured by ON Semiconductor. Below are its specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:**  
- **ON Semiconductor**  

### **Part Number:**  
- **LMBT3904WT1G**  

### **Type:**  
- **NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)**  

### **Key Specifications:**  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO):** 40V  
- **Collector-Base Voltage (V_CBO):** 60V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EBO):** 6V  
- **Continuous Collector Current (I_C):** 200mA  
- **Power Dissipation (P_D):** 225mW  
- **DC Current Gain (h_FE):** 100 - 300 (at I_C = 10mA, V_CE = 1V)  
- **Transition Frequency (f_T):** 300MHz (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Package:**  
- **SOT-323 (SC-70)**  

### **Features:**  
- Designed for general-purpose amplification and switching applications.  
- High current gain (h_FE) for improved performance in low-power circuits.  
- Compact SOT-323 package for space-constrained applications.  
- Suitable for high-speed switching due to its transition frequency (f_T).  

### **Applications:**  
- Low-power amplification  
- Switching circuits  
- Signal processing  
- Driver stages  

This information is strictly factual and sourced from the manufacturer's datasheet.

General Purpose Transistors