Dual General Purpose Transistors NPN Silicon ROHS requirements. The **LMBT2222ADW1T1G** is a dual NPN general-purpose transistor manufactured by **ON Semiconductor**.  

### **Specifications:**  
- **Transistor Type:** Dual NPN  
- **Configuration:** Common Emitter  
- **Maximum Collector-Base Voltage (V_CB):** 75 V  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (V_CE):** 40 V  
- **Maximum Emitter-Base Voltage (V_EB):** 6 V  
- **Continuous Collector Current (I_C):** 600 mA (per transistor)  
- **Total Power Dissipation (P_tot):** 200 mW  
- **DC Current Gain (h_FE):** 100 – 300 (at I_C = 10 mA, V_CE = 1 V)  
- **Transition Frequency (f_T):** 300 MHz  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** SOT-363 (SC-88)  

### **Features:**  
- **Dual NPN transistors in a single package**  
- **High current gain (h_FE)**  
- **Low saturation voltage**  
- **Suitable for general-purpose amplification and switching applications**  
- **Compact SMD package for space-constrained designs**  

### **Applications:**  
- Signal amplification  
- Switching circuits  
- Driver stages in audio and RF applications  
- Interface circuits  

This transistor is commonly used in portable electronics, communication devices, and other low-power applications.

Dual General Purpose Transistors NPN Silicon ROHS requirements.