### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** National Semiconductor (NSC)  
- **Type:** High-voltage gate driver  
- **Output Configuration:** Dual (High-side and Low-side)  
- **Supply Voltage (VDD):** 4.5V to 14V  
- **Peak Output Current (Source/Sink):** 5A / 5A  
- **Propagation Delay (Typical):** 25ns  
- **Rise/Fall Time (Typical):** 10ns / 10ns  
- **Operating Temperature Range:** -40°C to +125°C  
- **Package:** SOIC-8  

### **Descriptions:**  
The LM5111-1M is designed to drive both high-side and low-side N-channel MOSFETs in synchronous buck or half-bridge configurations. It features a wide operating voltage range and high peak output current for efficient power switching applications.  

### **Features:**  
- Independent high-side and low-side gate drive outputs  
- 5A peak source/sink current capability  
- Fast propagation delays for high-frequency switching  
- Under-voltage lockout (UVLO) protection  
- TTL/CMOS compatible inputs  
- Low power consumption  

This information is based on the manufacturer's datasheet.