Dual 5A Compound Gate Driver with Negative Output Voltage Capability The LM5110-3SD is a high-voltage gate driver manufactured by Texas Instruments (NS).  

**Specifications:**  
- **Manufacturer:** Texas Instruments (NS)  
- **Type:** High-voltage gate driver  
- **Output Configuration:** Dual, independent outputs  
- **Peak Output Current:** 3A (source/sink)  
- **Supply Voltage Range:** 3V to 14V  
- **Propagation Delay:** 30ns (typical)  
- **Rise/Fall Time:** 10ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -40°C to +125°C  
- **Package:** SOIC-8  

**Descriptions and Features:**  
- Designed for driving both high-side and low-side N-channel MOSFETs in synchronous buck or half-bridge configurations.  
- Features independent high and low driver outputs for flexibility.  
- Includes an undervoltage lockout (UVLO) feature for both VDD and VBS supplies.  
- TTL/CMOS compatible input thresholds.  
- High noise immunity due to Schmitt trigger inputs.  
- Suitable for high-frequency switching applications.  

This information is based on the available knowledge base. For detailed specifications, refer to the official datasheet.

Dual 5A Compound Gate Driver with Negative Output Voltage Capability The LM5110-3SD is a high-voltage gate driver manufactured by National Semiconductor (NSC). Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** National Semiconductor (NSC)  
- **Type:** High-Voltage Gate Driver  
- **Output Current (Peak):** 5A (Source/Sink)  
- **Supply Voltage (VDD):** 3V to 14V  
- **Maximum Bootstrap Voltage (VBST - VSW):** 118V  
- **Propagation Delay:** 25ns (Typical)  
- **Rise/Fall Time:** 10ns (Typical, with 1nF load)  
- **Operating Temperature Range:** -40°C to +125°C  
- **Package:** SOIC-8 (Exposed Pad)  

### **Descriptions:**  
The LM5110-3SD is designed to drive both high-side and low-side N-channel MOSFETs in synchronous buck or half-bridge configurations. It features a bootstrap diode for high-side drive and provides fast switching performance with minimal propagation delays.  

### **Features:**  
- **Independent High-Side and Low-Side Outputs**  
- **5A Peak Output Current**  
- **3V to 14V VDD Range**  
- **Integrated Bootstrap Diode**  
- **Fast Propagation Delays (25ns typical)**  
- **Matched Rise/Fall Times**  
- **Under-Voltage Lockout (UVLO) Protection**  
- **Thermal Shutdown Protection**  
- **SOIC-8 Package with Exposed Pad for Heat Dissipation**  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet and specifications.