Dual 5A Compound Gate Driver with Negative Output Voltage Capability The LM5110-3M is a high-voltage gate driver manufactured by Texas Instruments (NS). Below are the factual details from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Texas Instruments (NS)  
- **Part Number:** LM5110-3M  
- **Type:** High-Voltage Gate Driver  
- **Output Configuration:** Dual, Independent (High-Side and Low-Side)  
- **Peak Output Current:** 5A (Source/Sink)  
- **Supply Voltage (VDD):** 3V to 14V  
- **High-Side Voltage (VHB):** Up to 100V  
- **Propagation Delay:** 25ns (Typical)  
- **Rise/Fall Time:** 10ns (Typical)  
- **Operating Temperature Range:** -40°C to +125°C  
- **Package:** SOIC-8  

### **Descriptions:**
The LM5110-3M is a high-speed, dual MOSFET gate driver designed to drive both high-side and low-side N-channel MOSFETs in synchronous buck or half-bridge configurations. It features independent inputs for each driver, allowing flexible control. The device includes a high-voltage bootstrap diode for high-side drive applications.

### **Features:**
- **5A Peak Output Current** for fast switching  
- **Independent Inputs** for high-side and low-side control  
- **Wide Supply Voltage Range (3V to 14V)**  
- **Bootstrap Supply Voltage up to 100V**  
- **Fast Propagation Delays (25ns typical)**  
- **Matched Rise/Fall Times (10ns typical)**  
- **Under-Voltage Lockout (UVLO) Protection**  
- **SOIC-8 Package** for compact designs  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.