Dual 5A Compound Gate Driver with Negative Output Voltage Capability The LM5110-1MX is a high-voltage gate driver manufactured by Texas Instruments (NS). Here are its specifications, descriptions, and features:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Texas Instruments (NS)  
- **Part Number:** LM5110-1MX  
- **Type:** High-Voltage Gate Driver  
- **Output Configuration:** Dual (High-Side and Low-Side)  
- **Operating Voltage (VDD):** 4.5V to 14V  
- **Maximum Bootstrap Voltage (VBST - VSW):** 118V  
- **Peak Output Current (Source/Sink):** 5A / 5A  
- **Propagation Delay (Typical):** 25ns  
- **Rise/Fall Time (10nF Load):** 10ns / 8ns  
- **Operating Temperature Range:** -40°C to +125°C  
- **Package:** 8-SOIC  

### **Descriptions:**  
The LM5110-1MX is a high-speed dual MOSFET gate driver designed to drive both high-side and low-side N-channel MOSFETs in synchronous buck or half-bridge configurations. It features adaptive dead-time control to prevent shoot-through and is capable of operating at high frequencies.  

### **Features:**  
- **High-Side and Low-Side Gate Drive:** Independent high-side and low-side outputs.  
- **5A Peak Drive Current:** Ensures fast switching of power MOSFETs.  
- **Adaptive Dead-Time Control:** Prevents cross-conduction.  
- **Wide Operating Voltage Range:** 4.5V to 14V for VDD.  
- **High Bootstrap Voltage Capability:** Up to 118V.  
- **Fast Propagation Delays:** Minimizes switching losses.  
- **Under-Voltage Lockout (UVLO):** Protects against insufficient supply voltage.  
- **SOIC-8 Package:** Compact and suitable for space-constrained applications.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet.