### **Key Specifications:**  
- **Type:** PNP Bipolar Transistor (BJT)  
- **Package:** SOT-23 (Small Outline Transistor)  
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** -50V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** -50V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** -5V  
- **Continuous Collector Current (IC):** -100mA  
- **Power Dissipation (PD):** 225mW  
- **DC Current Gain (hFE):** 100 to 400 (at IC = 10mA, VCE = -5V)  
- **Transition Frequency (fT):** 100MHz (Typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Features:**  
- Low saturation voltage  
- High current gain  
- Designed for general-purpose amplification and switching applications  
- Suitable for surface-mount applications  

### **Applications:**  
- Signal amplification  
- Switching circuits  
- Driver stages in electronic circuits  

This transistor is commonly used in portable and compact electronic devices due to its small SOT-23 package.