General Purpose Transistors PNP Silicon The **LBC858BLT1G** is a PNP transistor manufactured by **ON Semiconductor**. Below are the key specifications, descriptions, and features:  

### **Key Specifications:**  
- **Transistor Type:** PNP  
- **Maximum Collector-Base Voltage (V_CB):** -50V  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (V_CE):** -45V  
- **Maximum Emitter-Base Voltage (V_EB):** -5V  
- **Continuous Collector Current (I_C):** -100mA  
- **Total Power Dissipation (P_D):** 225mW  
- **DC Current Gain (h_FE):** 100 to 250 (at I_C = -2mA, V_CE = -5V)  
- **Transition Frequency (f_T):** 100MHz (Typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Package:**  
- **SOT-23 (SC-59, TO-236AB)** (3-pin surface-mount package)  

### **Features:**  
- Designed for general-purpose amplification and switching applications  
- High current gain (h_FE)  
- Low saturation voltage  
- Suitable for high-speed switching  

### **Applications:**  
- Signal amplification  
- Switching circuits  
- Driver stages in audio and RF applications  

This information is based on the manufacturer's datasheet. For detailed electrical characteristics, refer to the official documentation from ON Semiconductor.

General Purpose Transistors PNP Silicon