Dual General Purpose Transistors The LBC857BDW1T1G is a general-purpose PNP transistor manufactured by ON Semiconductor. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Manufacturer:**  
ON Semiconductor  

### **Part Number:**  
LBC857BDW1T1G  

### **Type:**  
PNP Bipolar Junction Transistor (BJT)  

### **Package:**  
SOT-363 (SC-88)  

### **Key Specifications:**  
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** -50V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** -45V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** -5V  
- **Collector Current (IC):** -100mA  
- **Power Dissipation (PD):** 200mW  
- **DC Current Gain (hFE):** 125 to 250 (at IC = -2mA, VCE = -5V)  
- **Transition Frequency (fT):** 100MHz (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Features:**  
- High current gain (hFE)  
- Low saturation voltage  
- Designed for general-purpose amplification and switching applications  
- Small SOT-363 package for space-saving designs  

### **Applications:**  
- Signal amplification  
- Switching circuits  
- Audio amplification  
- Driver stages  

This transistor is commonly used in portable electronics, communication devices, and other low-power applications.  

Would you like additional details on any specific parameter?

Dual General Purpose Transistors