Dual General Purpose Transistors NPN Duals The LBC848CDW1T1G is a general-purpose NPN bipolar junction transistor (BJT) manufactured by ON Semiconductor. Below are its key specifications, descriptions, and features:  

### **Specifications:**  
- **Transistor Type:** NPN  
- **Collector-Base Voltage (V_CB):** 30 V  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE):** 30 V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EB):** 5 V  
- **Continuous Collector Current (I_C):** 100 mA  
- **Total Power Dissipation (P_D):** 225 mW  
- **DC Current Gain (h_FE):** 110 to 800 (at I_C = 2 mA, V_CE = 5 V)  
- **Transition Frequency (f_T):** 100 MHz (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- Designed for general-purpose amplification and switching applications.  
- Available in a small SOT-363 (SC-88) surface-mount package.  
- Suitable for low-power circuits in consumer electronics, signal processing, and control systems.  

### **Features:**  
- **Low Noise:** Optimized for signal amplification.  
- **High Current Gain:** Provides efficient signal amplification.  
- **Compact Package:** Ideal for space-constrained PCB designs.  
- **Matched Pair:** The "DW" suffix indicates a dual NPN transistor configuration in a single package.  

For detailed electrical characteristics, refer to the manufacturer's datasheet.

Dual General Purpose Transistors NPN Duals