General Purpose Transistors NPN Silicon The LBC848BWT1G is a general-purpose NPN/PNP transistor pair manufactured by ON Semiconductor. Below are the factual details from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
ON Semiconductor  

### **Part Number:**  
LBC848BWT1G  

### **Description:**  
The LBC848BWT1G is a dual NPN and PNP transistor in a small SOT-363 (SC-88) surface-mount package. It is designed for general-purpose amplification and switching applications.  

### **Key Features:**  
- **Transistor Configuration:** Dual NPN and PNP  
- **Package Type:** SOT-363 (SC-88)  
- **NPN Transistor (Q1) Specifications:**  
  - Collector-Emitter Voltage (VCEO): 30V  
  - Collector-Base Voltage (VCBO): 30V  
  - Emitter-Base Voltage (VEBO): 5V  
  - Continuous Collector Current (IC): 100mA  
  - Power Dissipation (PD): 200mW  
  - DC Current Gain (hFE): 100-300 (at IC = 2mA, VCE = 5V)  
- **PNP Transistor (Q2) Specifications:**  
  - Collector-Emitter Voltage (VCEO): -30V  
  - Collector-Base Voltage (VCBO): -30V  
  - Emitter-Base Voltage (VEBO): -5V  
  - Continuous Collector Current (IC): -100mA  
  - Power Dissipation (PD): 200mW  
  - DC Current Gain (hFE): 100-300 (at IC = -2mA, VCE = -5V)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Applications:**  
- Signal amplification  
- Switching circuits  
- General-purpose transistor pair applications  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and specifications.

General Purpose Transistors NPN Silicon