Dual General Purpose Transistors NPN Duals The LBC847BDW1T1G is a dual NPN general-purpose amplifier transistor manufactured by ON Semiconductor.  

### **Specifications:**  
- **Transistor Type:** Dual NPN  
- **Maximum Collector-Base Voltage (V_CB):** 60V  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (V_CE):** 45V  
- **Maximum Emitter-Base Voltage (V_EB):** 6V  
- **Continuous Collector Current (I_C):** 100mA  
- **Total Power Dissipation (P_tot):** 200mW  
- **DC Current Gain (h_FE):** 110 to 800 (depending on operating conditions)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** SOT-363 (SC-88)  

### **Descriptions & Features:**  
- Designed for general-purpose amplification and switching applications.  
- Matched pair transistors with similar electrical characteristics.  
- Low noise performance suitable for signal processing.  
- High current gain and low saturation voltage.  
- RoHS compliant and lead-free.  

For detailed electrical characteristics, refer to the manufacturer's datasheet.

Dual General Purpose Transistors NPN Duals