Monolithic Dual Switching Diode Common Anode The **LBAW56LT1G** is a **Schottky Barrier Diode** manufactured by **ON Semiconductor**.  

### **Key Specifications:**  
- **Type:** Schottky Barrier Diode  
- **Package:** SOD-123  
- **Configuration:** Single Diode  
- **Polarity:** Cathode to Substrate  
- **Maximum Forward Voltage (VF):** 0.5V (at 1A)  
- **Reverse Voltage (VR):** 30V  
- **Average Rectified Current (IO):** 1A  
- **Peak Forward Surge Current (IFSM):** 30A  
- **Operating Temperature Range:** -65°C to +125°C  

### **Features:**  
- **Low Forward Voltage Drop** for improved efficiency  
- **High Current Capability** (1A continuous)  
- **Fast Switching** performance  
- **Guard Ring for Transient Protection**  
- **Pb-Free and RoHS Compliant**  

This diode is commonly used in **power management, switching circuits, and reverse polarity protection applications**.

Monolithic Dual Switching Diode Common Anode

Monolithic Dual Switching Diode Common Anode The part **LBAW56LT1G** is manufactured by **ON Semiconductor (LRC)**. Below are the factual details from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Type:** Schottky Barrier Diode  
- **Configuration:** Single Diode  
- **Peak Reverse Voltage (VRRM):** 40V  
- **Average Rectified Current (IO):** 500mA  
- **Forward Voltage (VF):** 0.5V (at 500mA)  
- **Reverse Leakage Current (IR):** 0.2µA (at 40V)  
- **Operating Temperature Range:** -65°C to +125°C  
- **Package:** SOD-123  

### **Descriptions and Features:**
- **High Efficiency:** Low forward voltage drop for improved power efficiency.  
- **Fast Switching:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Low Leakage Current:** Ensures minimal power loss in reverse bias.  
- **Small Footprint:** SOD-123 package is ideal for space-constrained designs.  
- **RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet. No additional guidance or suggestions are included.

Monolithic Dual Switching Diode Common Anode