High-Voltage/Large-Current Darlington Transistor Array The LB1233M is a semiconductor component manufactured by SANYO. Below are the factual details from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Type:** Transistor (PNP Silicon Epitaxial Planar Type)
- **Maximum Ratings:**
  - Collector-Base Voltage (VCBO): -50V
  - Collector-Emitter Voltage (VCEO): -50V
  - Emitter-Base Voltage (VEBO): -5V
  - Collector Current (IC): -1A
  - Total Power Dissipation (PT): 1W (at Ta = 25°C)
  - Operating and Storage Temperature Range (Tj, Tstg): -55°C to +150°C

### **Electrical Characteristics:**
- **DC Current Gain (hFE):** 120 to 560 (at VCE = -5V, IC = -150mA)
- **Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)):** -0.25V (max) (at IC = -500mA, IB = -50mA)
- **Transition Frequency (fT):** 150MHz (min) (at VCE = -5V, IC = -10mA, f = 100MHz)

### **Descriptions and Features:**
- **Package Type:** TO-92 (Mini Mold)
- **Applications:** Designed for general-purpose amplification and switching applications.
- **Features:**
  - High current gain (hFE) range.
  - Low saturation voltage.
  - Suitable for high-speed switching.
  - Compact and lightweight package.

This information is based on the manufacturer's datasheet for the LB1233M transistor.

High-Voltage/Large-Current Darlington Transistor Array