Silicon NPN Epitaxial Planer Transistor The **L4501DW1T1G** is a Schottky Barrier Diode (SBD) manufactured by **LRC (Leshan Radio Company)**.  

### **Specifications:**  
- **Type:** Schottky Barrier Diode  
- **Package:** SOD-123  
- **Voltage Rating (Vr):** 40V  
- **Current Rating (If):** 1A  
- **Forward Voltage (Vf):** 0.55V (typical at 1A)  
- **Reverse Leakage Current (Ir):** 100µA (max at 40V)  
- **Operating Temperature Range:** -65°C to +125°C  

### **Descriptions and Features:**  
- **Low Forward Voltage Drop:** Ensures efficient power conversion.  
- **High Current Capability:** Supports up to 1A continuous forward current.  
- **Fast Switching Speed:** Suitable for high-frequency applications.  
- **High Surge Current Capability:** Robust performance under transient conditions.  
- **Small Footprint:** SOD-123 package for space-constrained designs.  
- **RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  

This diode is commonly used in **power rectification, switching circuits, and reverse polarity protection** applications.