Small Signal MOSFET 310 mAmps, 60 Volts N–Channel SOT–23 The part **L2SK801LT1G** is manufactured by **LRC (Leshan Radio Company)**.  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Voltage (Vds):** 800V  
- **Current (Id):** 2.5A  
- **Power Dissipation (Pd):** 50W  
- **Gate-Source Voltage (Vgs):** ±30V  
- **On-Resistance (Rds(on)):** 6.5Ω (max)  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Descriptions and Features:**  
- **High Voltage MOSFET** designed for switching applications.  
- **Low Gate Charge** for fast switching performance.  
- **Avalanche Energy Rated** for improved reliability.  
- **Low On-Resistance** for reduced conduction losses.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant** for environmental safety.  

This MOSFET is commonly used in power supply circuits, inverters, and other high-voltage applications.