### **Specifications:**  
- **Type**: NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Package**: SOT-323 (SC-70)  
- **Polarity**: NPN  
- **Maximum Collector-Base Voltage (V_CB)**: 60V  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (V_CE)**: 50V  
- **Maximum Emitter-Base Voltage (V_EB)**: 5V  
- **Continuous Collector Current (I_C)**: 100mA  
- **Total Power Dissipation (P_D)**: 200mW  
- **DC Current Gain (h_FE)**: 100 - 400 (at I_C = 2mA, V_CE = 5V)  
- **Transition Frequency (f_T)**: 250MHz (typical)  

### **Descriptions and Features:**  
- Designed for general-purpose amplification and switching applications.  
- High current gain and low saturation voltage.  
- Small SOT-323 package for space-constrained designs.  
- Suitable for low-power applications in consumer electronics, signal processing, and control circuits.  

For detailed electrical characteristics, refer to the official datasheet from LRC.