High-Frequency Amplifier Transistor The **L2SC3356LT1G** is a **PNP Bipolar Junction Transistor (BJT)** manufactured by **ON Semiconductor**.  

### **Key Specifications:**  
- **Type:** PNP Transistor  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (V_CE):** -50V  
- **Maximum Collector Current (I_C):** -100mA  
- **Power Dissipation (P_D):** 225mW  
- **DC Current Gain (h_FE):** 100 to 400 (at I_C = -2mA, V_CE = -5V)  
- **Transition Frequency (f_T):** 100MHz  
- **Package:** SOT-23 (SC-59, TO-236)  

### **Features:**  
- Low saturation voltage  
- High current gain  
- Designed for general-purpose amplification and switching applications  
- Small surface-mount package for space-constrained designs  

This transistor is commonly used in **signal amplification, switching circuits, and low-power applications**.  

Would you like additional details on any specific parameter?