General Purpose Transistors NPN Silicon The **L2SC2412KRLT1G** is a **PNP Bipolar Junction Transistor (BJT)** manufactured by **ON Semiconductor**.  

### **Key Specifications:**  
- **Type:** PNP Transistor  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE):** -40V  
- **Collector-Base Voltage (V_CB):** -40V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EB):** -5V  
- **Collector Current (I_C):** -500mA  
- **Power Dissipation (P_D):** 300mW  
- **DC Current Gain (h_FE):** 100-400 (at I_C = -10mA, V_CE = -1V)  
- **Transition Frequency (f_T):** 150MHz  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Package:**  
- **SOT-23 (SC-59, TO-236AB)** (3-Pin Surface Mount Package)  

### **Features:**  
- High current gain bandwidth product  
- Low saturation voltage  
- Designed for general-purpose amplification and switching applications  
- Suitable for surface-mount applications  

This transistor is commonly used in **low-power amplification, switching circuits, and signal processing applications**.  

Would you like any additional details?