General Purpose Transistors Epitaxial planar type. The **L2SA812SLT1G** is a PNP transistor manufactured by **ON Semiconductor**. Below are the key specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:**  
- **ON Semiconductor**  

### **Specifications:**  
- **Transistor Type:** PNP Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (VCEO):** -20V  
- **Maximum Collector-Base Voltage (VCBO):** -30V  
- **Maximum Emitter-Base Voltage (VEBO):** -5V  
- **Continuous Collector Current (IC):** -500mA  
- **Power Dissipation (PD):** 200mW  
- **DC Current Gain (hFE):** 120 to 400 (at IC = 150mA, VCE = -1V)  
- **Operating Junction Temperature (TJ):** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- Designed for general-purpose amplification and switching applications.  
- Available in a **SOT-23** surface-mount package for compact PCB designs.  
- Suitable for low-power applications in consumer electronics and industrial circuits.  

### **Features:**  
- **Low Saturation Voltage:** Ensures efficient switching performance.  
- **High Current Gain (hFE):** Provides good amplification characteristics.  
- **Small Form Factor:** Ideal for space-constrained designs.  

This information is based strictly on the manufacturer's datasheet and technical documentation.