General Purpose Transistors Epitaxial planar type. The **L2SA812RLT1G** is a PNP transistor manufactured by **ON Semiconductor**. Below are the factual details from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
- **ON Semiconductor**  

### **Specifications:**  
- **Transistor Type:** PNP  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** -50V  
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** -50V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** -5V  
- **Collector Current (IC):** -500mA  
- **Power Dissipation (PD):** 200mW  
- **DC Current Gain (hFE):** 100-400 (at IC = -150mA, VCE = -1V)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- The **L2SA812RLT1G** is a general-purpose PNP bipolar junction transistor (BJT) designed for amplification and switching applications.  
- It is housed in a **SOT-23** surface-mount package, making it suitable for compact circuit designs.  

### **Features:**  
- High current gain (hFE) range for improved linearity.  
- Low saturation voltage for efficient switching.  
- RoHS compliant and lead-free.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet for the **L2SA812RLT1G**.