### **Specifications:**  
- **Type:** PNP Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Package:** SOT-23 (SC-59)  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (V_CEO):** -50V  
- **Maximum Collector-Base Voltage (V_CBO):** -60V  
- **Maximum Emitter-Base Voltage (V_EBO):** -5V  
- **Continuous Collector Current (I_C):** -100mA  
- **Power Dissipation (P_D):** 225mW  
- **DC Current Gain (h_FE):** 100 to 400 (at I_C = -10mA, V_CE = -1V)  
- **Transition Frequency (f_T):** 100MHz (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions and Features:**  
- Designed for general-purpose amplification and switching applications.  
- High current gain (h_FE) for improved efficiency.  
- Low saturation voltage for better performance in switching circuits.  
- Compact SOT-23 package suitable for space-constrained applications.  
- RoHS compliant and lead-free.  

This transistor is commonly used in signal amplification, switching circuits, and other low-power applications.