EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE, SWITCHING) Here are the factual details about part KN3906S from the manufacturer KEC:  

### **Manufacturer:** KEC (Korea Electronics Company)  
### **Part Number:** KN3906S  

### **Specifications:**  
- **Type:** PNP Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (V_CE):** -40V  
- **Maximum Collector-Base Voltage (V_CB):** -40V  
- **Maximum Emitter-Base Voltage (V_EB):** -5V  
- **Continuous Collector Current (I_C):** -200mA  
- **Power Dissipation (P_D):** 625mW  
- **DC Current Gain (h_FE):** 100 ~ 300 (at I_C = -10mA, V_CE = -1V)  
- **Transition Frequency (f_T):** 250MHz (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Package:**  
- **Type:** TO-92 (Through-Hole Package)  

### **Features:**  
- High current gain (h_FE)  
- Low saturation voltage  
- Suitable for switching and amplification applications  

This information is based on the manufacturer's datasheet. For precise application details, refer to the official KEC documentation.