EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE, SWITCHING) **Part Number:** KN3906  
**Manufacturer:** KEC (Korea Electronics Company)  

**Specifications:**  
- **Type:** PNP Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** -40V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** -30V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** -5V  
- **Collector Current (IC):** -200mA  
- **Power Dissipation (PD):** 300mW  
- **DC Current Gain (hFE):** 100-300 (at IC = -10mA, VCE = -1V)  
- **Transition Frequency (fT):** 250MHz  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

**Descriptions and Features:**  
- Designed for general-purpose amplification and switching applications.  
- Low saturation voltage for improved efficiency in switching circuits.  
- High current gain bandwidth product (fT) for high-frequency applications.  
- Compact TO-92 package for easy integration into circuits.  
- Suitable for use in consumer electronics, audio amplifiers, and signal processing circuits.  

(Note: Always verify datasheet details for exact parameters in specific applications.)