EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE, SWITCHING) **Part Number:** KN2222  
**Manufacturer:** KEC (Korea Electronics Company)  

### **Specifications:**  
- **Type:** NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (V_CE):** 30V  
- **Maximum Collector-Base Voltage (V_CB):** 40V  
- **Maximum Emitter-Base Voltage (V_EB):** 5V  
- **Maximum Collector Current (I_C):** 600mA  
- **Power Dissipation (P_D):** 625mW  
- **DC Current Gain (h_FE):** 100-300 (at I_C = 10mA, V_CE = 1V)  
- **Transition Frequency (f_T):** 250MHz  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package Type:** TO-92  

### **Descriptions:**  
The KN2222 is a general-purpose NPN transistor designed for amplification and switching applications. It is commonly used in low-power circuits due to its moderate current and voltage ratings.  

### **Features:**  
- High current gain (h_FE)  
- Low saturation voltage  
- Fast switching speed  
- Suitable for small-signal amplification  
- Reliable performance in various electronic circuits  

This information is based solely on the provided knowledge base. No additional guidance or suggestions are included.