N-Ch Trench MOSFET The part **KMB6D6N30Q** is manufactured by **KEC (Korea Electronics Company)**. Below are the specifications, descriptions, and features based on available information:  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 300V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 6A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 24A  
- **Power Dissipation (P_D):** 50W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.6Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2.0V (min) - 4.0V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 500pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 100pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 30pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-251 (IPAK)  

### **Descriptions & Features:**  
- **High Voltage MOSFET:** Designed for switching applications up to 300V.  
- **Low On-Resistance:** Ensures efficient power handling with minimal losses.  
- **Fast Switching Speed:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Enhanced ruggedness for reliability in harsh conditions.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  
- **Applications:** Power supplies, motor control, inverters, and DC-DC converters.  

For exact performance characteristics, refer to the official **KEC datasheet** for the **KMB6D6N30Q**.