128Kx8 Bit High Speed Static RAM(5V Operating), Revolutionary Pin out. Operated at Commercial and Industrial Temperature Range. The **KM681002BJ-8** is a memory component manufactured by **SAMSUNG**. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** SAMSUNG  
- **Part Number:** KM681002BJ-8  
- **Type:** DRAM (Dynamic Random-Access Memory)  
- **Technology:** Synchronous DRAM (SDRAM)  
- **Density:** 8M x 8-bit (64Mbit)  
- **Organization:** 1M x 8-bit x 8 banks  
- **Voltage:** 3.3V  
- **Speed:** 8ns (nanoseconds) access time  
- **Package:** 50-pin TSOP (Thin Small Outline Package)  
- **Operating Temperature:** Commercial (0°C to 70°C) or Industrial (-40°C to 85°C) depending on variant  

### **Descriptions:**  
- The **KM681002BJ-8** is a high-speed CMOS DRAM designed for applications requiring fast data access and low power consumption.  
- It supports **synchronous operation** with a clock signal for improved performance in systems requiring precise timing.  
- Commonly used in **embedded systems, networking devices, and industrial applications**.  

### **Features:**  
- **Synchronous Interface:** Operates with a single clock signal for better timing control.  
- **Burst Mode Support:** Allows for faster sequential data access.  
- **Auto Refresh & Self Refresh:** Reduces power consumption in standby modes.  
- **Low Power Consumption:** Optimized for energy-efficient applications.  
- **8-Bank Architecture:** Enhances memory access efficiency.  

This information is based strictly on the technical specifications of the **KM681002BJ-8** by **SAMSUNG**.

128Kx8 Bit High Speed Static RAM(5V Operating), Revolutionary Pin out. Operated at Commercial and Industrial Temperature Range. The part **KM681002BJ-8** is manufactured by **SEC (Samsung Electronics Co., Ltd.)**.  

### **Specifications:**  
- **Type:** DRAM (Dynamic Random-Access Memory)  
- **Density:** 1M x 8-bit (8 Megabit)  
- **Organization:** 128K words x 8 bits  
- **Voltage:** 5V  
- **Access Time:** 80 ns  
- **Package:** 28-pin DIP (Dual In-line Package)  
- **Operating Temperature:** Commercial (0°C to 70°C)  

### **Descriptions and Features:**  
- **High-Speed Operation:** Designed for fast read/write operations with an 80 ns access time.  
- **Low Power Consumption:** Optimized for power efficiency in 5V systems.  
- **Wide Compatibility:** Suitable for various computing and embedded applications.  
- **Refresh Requirement:** Requires periodic refresh cycles to maintain data integrity (typical for DRAM).  
- **Industrial Standard Pinout:** 28-pin DIP package conforms to industry-standard layouts.  

This part was commonly used in early computing systems, industrial controls, and other applications requiring moderate-density DRAM.

128Kx8 Bit High Speed Static RAM(5V Operating), Revolutionary Pin out. Operated at Commercial and Industrial Temperature Range. The part **KM681002BJ-8** is manufactured by **SAM (Samsung Advanced Memory)**.  

### **Specifications:**  
- **Type:** DRAM (Dynamic Random-Access Memory)  
- **Density:** 8M x 8 (8 Megabits x 8)  
- **Organization:** 8,388,608 words x 8 bits  
- **Voltage:** 3.3V  
- **Speed:** 8ns access time  
- **Package:** 32-pin SOJ (Small Outline J-Lead)  

### **Descriptions & Features:**  
- **High-Speed Operation:** Optimized for fast data access with an 8ns speed rating.  
- **Low Power Consumption:** Designed for efficiency with a 3.3V operating voltage.  
- **Wide Compatibility:** Suitable for various computing and embedded applications.  
- **Reliable Performance:** Manufactured by SAM (Samsung Advanced Memory) with industry-standard quality.  

This part is commonly used in older computer systems, networking equipment, and industrial electronics requiring low-latency memory.