128Kx8 Bit High Speed Static RAM(5V Operating), Revolutionary Pin out. Operated at Commercial and Industrial Temperature Range. The part **KM681002BJ-10** is a **1M x 8-bit (8Mb) CMOS SRAM (Static Random Access Memory)** chip manufactured by **Samsung**.  

### **Specifications:**  
- **Organization:** 1,048,576 words × 8 bits  
- **Voltage Supply:** 5V ± 10%  
- **Access Time:** 10 ns  
- **Package:** 32-pin SOP (Small Outline Package)  
- **Operating Temperature Range:** 0°C to +70°C  
- **Standby Current:** 10 mA (max)  
- **Operating Current:** 120 mA (max)  
- **Data Retention Voltage:** 2V (min)  

### **Descriptions & Features:**  
- **High-Speed Performance:** 10 ns access time for fast read/write operations.  
- **Low Power Consumption:** CMOS technology ensures efficient power usage.  
- **Wide Operating Voltage:** Supports 5V ± 10% tolerance.  
- **Fully Static Operation:** No clock or refresh cycles required.  
- **TTL-Compatible Inputs/Outputs:** Ensures compatibility with standard logic levels.  
- **Three-State Outputs:** Allows bus sharing in multi-device systems.  
- **Industrial Standard Pinout:** Matches industry-standard 32-pin SOP configurations.  

This SRAM is commonly used in **computers, networking equipment, embedded systems, and other high-speed memory applications**.

128Kx8 Bit High Speed Static RAM(5V Operating), Revolutionary Pin out. Operated at Commercial and Industrial Temperature Range. The part **KM681002BJ-10** is manufactured by **SEC (Samsung Electronics Co., Ltd.)**.  

### **Specifications:**  
- **Type**: DRAM (Dynamic Random-Access Memory)  
- **Density**: 1 Megabit (1Mb)  
- **Organization**: 128K x 8  
- **Voltage**: 5V  
- **Access Time**: 100ns  
- **Package**: 28-pin DIP (Dual In-line Package)  
- **Technology**: CMOS  

### **Descriptions and Features:**  
- **High-Speed Operation**: Designed for fast data access with a 100ns access time.  
- **Low Power Consumption**: Utilizes CMOS technology for efficient power usage.  
- **Wide Compatibility**: Suitable for various computing and embedded applications.  
- **Reliability**: Manufactured by SEC, ensuring high-quality semiconductor standards.  

This part is commonly used in older computer systems and industrial applications requiring low-density DRAM.

128Kx8 Bit High Speed Static RAM(5V Operating), Revolutionary Pin out. Operated at Commercial and Industrial Temperature Range. The KM681002BJ-10 is a memory module manufactured by Samsung. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Samsung  
- **Part Number:** KM681002BJ-10  
- **Type:** DRAM (Dynamic Random-Access Memory)  
- **Density:** 1M x 8-bit  
- **Organization:** 128K x 8 (1Mbit)  
- **Speed:** 100ns (nanoseconds) access time  
- **Voltage:** 5V  
- **Package:** 28-pin DIP (Dual In-line Package)  
- **Technology:** CMOS  

### **Descriptions:**  
- The KM681002BJ-10 is a 1Mbit (128K x 8) DRAM chip designed for use in various computing and electronic applications.  
- It operates at a standard 5V power supply and has an access time of 100ns.  
- The chip is packaged in a 28-pin DIP format, making it suitable for through-hole PCB mounting.  

### **Features:**  
- **High-Speed Operation:** 100ns access time for efficient data retrieval.  
- **Low Power Consumption:** CMOS technology ensures reduced power usage.  
- **Wide Compatibility:** Designed for integration into systems requiring 5V DRAM modules.  
- **Reliable Performance:** Manufactured by Samsung, ensuring high-quality standards.  

This information is based solely on the available technical details for the KM681002BJ-10 memory module.