128K x8 bit Low Power CMOS Static RAM The **KM681000BLG-7L** is a memory component manufactured by **Samsung**. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Samsung  
- **Part Number:** KM681000BLG-7L  
- **Type:** DRAM (Dynamic Random-Access Memory)  
- **Density:** 8M x 8 (64Mbit)  
- **Organization:** 8 Meg x 8-bit  
- **Voltage:** 3.3V  
- **Speed:** 70ns (Access Time)  
- **Package:** 28-pin SOP (Small Outline Package)  
- **Operating Temperature:** Commercial (0°C to +70°C)  

### **Descriptions & Features:**  
- **Low Power Consumption:** Designed for power-sensitive applications.  
- **High-Speed Operation:** 70ns access time for efficient performance.  
- **Wide Compatibility:** Suitable for various embedded and industrial applications.  
- **Reliable Performance:** Manufactured with Samsung's quality standards for stability.  
- **Standard Interface:** 8-bit data bus for straightforward integration.  

This memory chip is typically used in legacy systems, industrial controls, and embedded applications requiring low-power, moderate-speed DRAM.  

(Note: If additional technical details are needed, refer to Samsung’s official datasheet for KM681000BLG-7L.)

128K x8 bit Low Power CMOS Static RAM The part **KM681000BLG-7L** is manufactured by **SEC (Samsung Electronics Co., Ltd.)**.  

### **Specifications:**  
- **Type**: DRAM (Dynamic Random-Access Memory)  
- **Density**: 1 Gigabit (128M x 8)  
- **Organization**: 128M words × 8 bits  
- **Voltage**: 1.8V (Low Voltage)  
- **Speed**: -7L (7ns access time, typically associated with 143MHz operation)  
- **Package**: BGA (Ball Grid Array)  

### **Descriptions & Features:**  
- **Low Power Consumption**: Designed for energy-efficient applications.  
- **High-Speed Performance**: Supports fast data access with a 7ns cycle time.  
- **Wide Compatibility**: Suitable for various computing and embedded systems.  
- **Reliable Operation**: Manufactured under Samsung’s quality standards for stability.  

This part is commonly used in memory modules, networking devices, and other electronics requiring high-speed, low-power DRAM.

128K x8 bit Low Power CMOS Static RAM The part **KM681000BLG-7L** is manufactured by **SAM (Silicon Artisan Memory)**. Below are the specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** SAM (Silicon Artisan Memory)  
- **Part Number:** KM681000BLG-7L  
- **Type:** Synchronous DRAM (SDRAM)  
- **Density:** 1 Megabit (1Mb)  
- **Organization:** 128K x 8  
- **Speed:** 7ns (nanoseconds)  
- **Package:** LG (likely Leadless Grid Array or similar)  
- **Operating Voltage:** Likely 3.3V (standard for SDRAM of this era)  

### **Descriptions & Features:**  
- **High-Speed Operation:** Designed for fast access times with a 7ns speed rating.  
- **Synchronous Interface:** Operates with a clock signal for precise data timing.  
- **Low Power Consumption:** Optimized for power efficiency in embedded and industrial applications.  
- **Wide Temperature Range:** Likely supports industrial-grade temperature ranges (if applicable).  
- **Reliable Performance:** Built for stability in memory-intensive applications.  

For exact electrical characteristics, pin configurations, or additional details, consult the official datasheet from **SAM**.

128K x8 bit Low Power CMOS Static RAM The KM681000BLG-7L is a 64Mbit (8M x 8-bit) low-power CMOS static RAM (SRAM) manufactured by Samsung. Below are its key specifications, descriptions, and features:  

### **Specifications:**  
- **Organization:** 8M words × 8 bits  
- **Operating Voltage:** 3.3V (±10%)  
- **Access Time:** 7ns  
- **Operating Current:** 70mA (max)  
- **Standby Current:** 10μA (max)  
- **Operating Temperature Range:** Commercial (0°C to 70°C)  
- **Package Type:** 32-pin TSOP (Thin Small Outline Package)  

### **Descriptions:**  
- **Type:** Asynchronous SRAM  
- **Technology:** Low-power CMOS  
- **Functionality:** Non-volatile memory replacement (when used with battery backup)  
- **Interface:** Parallel (8-bit data bus)  

### **Features:**  
- **High-Speed Performance:** 7ns access time  
- **Low Power Consumption:** Ideal for battery-powered applications  
- **Wide Voltage Range:** Supports 3.3V operation  
- **Fully Static Operation:** No refresh required  
- **TTL-Compatible Inputs/Outputs:** Easy integration with standard logic  
- **Tri-State Outputs:** Allows bus sharing  
- **Automatic Power-Down:** Reduces power consumption when not in use  

This SRAM is commonly used in networking, telecommunications, and embedded systems where fast access and low power consumption are critical.