2M x 32 SDRAM 512K x 32bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL The part **KM432S2030CT-G7** is manufactured by **SAM (Silicon Motion, Inc.)**.  

### **Specifications:**  
- **Type**: NAND Flash Memory  
- **Density**: 32Gb (4GB)  
- **Interface**: Toggle Mode DDR  
- **Organization**: 4Gb x 8  
- **Voltage Supply**: 2.7V - 3.6V  
- **Operating Temperature**: -40°C to +85°C  
- **Package**: TSOP-48  

### **Descriptions and Features:**  
- **High Performance**: Supports fast read and write operations.  
- **Reliability**: Advanced error correction and wear-leveling algorithms.  
- **Low Power Consumption**: Optimized for power efficiency.  
- **Compatibility**: Designed for use in embedded systems, SSDs, and other storage applications.  
- **Endurance**: High program/erase cycles for extended lifespan.  

This is a standard NAND flash memory component used in various storage solutions.

2M x 32 SDRAM 512K x 32bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL Here are the factual details about the **KM432S2030CT-G7** from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer**: SAMSUNG  
### **Part Number**: KM432S2030CT-G7  

### **Specifications**:  
- **Type**: DDR4 SDRAM  
- **Capacity**: 32GB (4G x 72)  
- **Speed**: 3200 Mbps  
- **Voltage**: 1.2V  
- **Organization**: 4G x 72 (288-bit)  
- **Package**: 288-ball FBGA  
- **Density per Die**: 8Gb  
- **Interface**: DDR4  
- **Operating Temperature**: Commercial (0°C to 95°C) / Industrial (-40°C to 95°C)  
- **Refresh**: Auto-Refresh & Self-Refresh  

### **Descriptions & Features**:  
- High-speed, low-power DDR4 memory module.  
- Supports ECC (Error Correction Code) for improved data reliability.  
- Optimized for enterprise and data center applications.  
- FBGA packaging for improved thermal and electrical performance.  
- Compliant with JEDEC DDR4 standards.  

Let me know if you need further details.