8M x 8 Bit NAND Flash Memory The KM29U64000T is a flash memory chip manufactured by Samsung Electronics (SEC).  

### **Specifications:**  
- **Memory Type:** NOR Flash  
- **Density:** 64Mbit (8M x 8-bit or 4M x 16-bit)  
- **Supply Voltage:** 2.7V - 3.6V  
- **Access Time:** 70ns (max)  
- **Operating Temperature Range:** -40°C to +85°C  
- **Package Type:** TSOP (Thin Small Outline Package)  

### **Descriptions:**  
- The KM29U64000T is a high-performance NOR Flash memory device designed for embedded systems requiring fast read operations.  
- It supports both 8-bit and 16-bit data bus configurations.  
- Features a uniform sector architecture for flexible erase operations.  

### **Features:**  
- **High-Speed Read Performance:** Optimized for low-latency applications.  
- **Sector Erase Capability:** Supports 4KB, 32KB, and 64KB sector sizes.  
- **Low Power Consumption:** Ideal for battery-powered devices.  
- **Hardware Data Protection:** Includes a write protection feature to prevent accidental modifications.  
- **Reliable Endurance:** Supports up to 100,000 program/erase cycles.  

This information is based on the manufacturer's datasheet. For detailed technical parameters, refer to SEC's official documentation.

8M x 8 Bit NAND Flash Memory The KM29U64000T is a flash memory chip manufactured by Samsung. Below are its specifications, descriptions, and features based on available factual information:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Samsung  
- **Memory Type:** NOR Flash  
- **Density:** 64 Mbit (8 MB)  
- **Interface:** Parallel (x8/x16)  
- **Supply Voltage:**  
  - **Vcc (Core):** 2.7V - 3.6V  
  - **VccQ (I/O):** 1.65V - 3.6V  
- **Operating Temperature Range:**  
  - **Industrial Grade:** -40°C to +85°C  
- **Access Time:** 70 ns (maximum)  
- **Package Type:**  
  - TSOP (Thin Small Outline Package)  
  - FBGA (Fine-pitch Ball Grid Array)  
- **Sector Architecture:** Uniform 4 KB sectors  
- **Endurance:**  
  - Minimum 100,000 program/erase cycles per sector  
- **Data Retention:**  
  - 20 years (at 85°C)  

### **Descriptions:**  
- The KM29U64000T is a high-performance NOR Flash memory designed for embedded systems requiring fast read operations and reliable data storage.  
- It supports both **asynchronous and burst read modes**, making it suitable for code execution (XIP - Execute in Place).  
- Features **low power consumption** with deep power-down and standby modes.  
- Includes **hardware and software data protection** mechanisms to prevent accidental writes or erasures.  

### **Features:**  
- **Fast Read Performance:**  
  - 70 ns access time (asynchronous)  
  - Supports burst mode for sequential reads  
- **Flexible Sector Architecture:**  
  - Uniform 4 KB sectors for efficient code and data storage  
- **Wide Voltage Range:**  
  - Supports 1.65V to 3.6V I/O for compatibility with low-power processors  
- **Reliability & Security:**  
  - Built-in **block locking** for write protection  
  - **OTP (One-Time Programmable)** sector for secure data storage  
- **Low Power Modes:**  
  - Deep power-down mode (<1 µA)  
  - Standby current (<10 µA)  

This information is based on Samsung's official documentation for the KM29U64000T NOR Flash memory. For exact details, refer to the datasheet.