### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Enhancement Mode MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 60V  
- **Gate-Source Voltage (V_GSS):** ±20V  
- **Drain Current (I_D):** 50A (continuous)  
- **Power Dissipation (P_D):** 150W  
- **On-Resistance (R_DS(ON)):** 0.028Ω (max at V_GS = 10V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V (min) - 4V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1500pF (typical)  
- **Package:** TO-220F (Fully Molded)  

### **Descriptions & Features:**  
- Designed for high-power switching applications.  
- Low on-resistance for improved efficiency.  
- Fast switching speed.  
- Fully molded TO-220F package for better thermal performance.  
- Suitable for power management in automotive, industrial, and consumer electronics.  

(Source: KEC Datasheet & product documentation)