### **Specifications:**  
- **Type:** NPN Epitaxial Planar Transistor  
- **Application:** High-frequency amplification, RF applications  
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 30V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 20V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 4V  
- **Collector Current (IC):** 50mA  
- **Total Power Dissipation (PT):** 300mW  
- **Transition Frequency (fT):** 1.5GHz  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- Designed for high-frequency and low-noise amplification.  
- Suitable for VHF/UHF applications.  
- Encased in a small SOT-23 package for compact circuit design.  

### **Features:**  
- High transition frequency for RF performance.  
- Low noise characteristics.  
- Small form factor (SOT-23).  
- Reliable performance in high-frequency circuits.  

(Note: Always verify datasheets for exact specifications as variations may exist.)