### **Specifications:**  
- **Type:** IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)  
- **Voltage Rating (V_CES):** 1200V  
- **Current Rating (I_C):** 25A  
- **Package:** TO-247  
- **Configuration:** Single IGBT with Diode  
- **Gate-Emitter Voltage (V_GE):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 250W  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Features:**  
- **Low Saturation Voltage (V_CE(sat)):** Ensures high efficiency.  
- **Fast Switching Speed:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Built-in Fast Recovery Diode:** Enhances circuit reliability.  
- **High Current Capability:** Supports high-power applications.  
- **Isolated Package (TO-247):** Provides electrical isolation for better thermal performance.  

### **Applications:**  
- Motor drives  
- Power inverters  
- UPS (Uninterruptible Power Supplies)  
- Industrial and automotive systems  

This information is based on KEC's official documentation for the **KGT25N120NDA** IGBT.