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KF52BD-TR from ST,ST Microelectronics

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KF52BD-TR

Manufacturer: ST

VERY LOW DROP VOLTAGE REGULATOR WITH INHIBIT

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
KF52BD-TR,KF52BDTR ST 2500 In Stock

Description and Introduction

VERY LOW DROP VOLTAGE REGULATOR WITH INHIBIT The **KF52BD-TR** is a component manufactured by **STMicroelectronics (ST)**. Below are the factual details from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
- **STMicroelectronics (ST)**  

### **Specifications:**  
- **Type:** Schottky Barrier Diode  
- **Configuration:** Single Diode  
- **Package:** SOD-123FL  
- **Voltage Rating (VRRM):** 20V  
- **Forward Current (IF):** 500mA  
- **Forward Voltage (VF):** Typically 0.38V at 500mA  
- **Reverse Leakage Current (IR):** 100µA (max) at 20V  
- **Operating Temperature Range:** -65°C to +125°C  

### **Descriptions:**  
- A high-efficiency Schottky diode designed for low-power applications.  
- Suitable for surface-mount assembly (SMD).  
- Optimized for fast switching and low forward voltage drop.  

### **Features:**  
- **Low Forward Voltage Drop** – Enhances power efficiency.  
- **Fast Switching Speed** – Ideal for high-frequency applications.  
- **High Surge Current Capability** – Robust performance under transient conditions.  
- **Pb-Free & RoHS Compliant** – Environmentally friendly.  

For exact datasheet details, refer to **STMicroelectronics' official documentation**.

Application Scenarios & Design Considerations

VERY LOW DROP VOLTAGE REGULATOR WITH INHIBIT# Technical Documentation: KF52BDTR Schottky Barrier Diode

## 1. Application Scenarios

### 1.1 Typical Use Cases
The KF52BDTR is a surface-mount Schottky barrier diode designed for high-frequency and high-efficiency applications. Its primary use cases include:

*  Power Supply Protection : Used as a reverse polarity protection diode in DC input circuits, particularly in battery-powered devices where low forward voltage drop is critical to minimize power loss
*  Freewheeling/Clamping Diode : In switching power supplies (buck, boost, and flyback converters) to provide a current path for inductive loads during switch-off periods
*  OR-ing Diode : In redundant power supply systems to prevent back-feeding between power sources
*  Signal Demodulation : In RF circuits due to its fast switching characteristics and low junction capacitance
*  Voltage Clamping : In transient voltage suppression circuits, though with limitations compared to dedicated TVS diodes

### 1.2 Industry Applications
*  Consumer Electronics : Smartphones, tablets, and portable devices where board space and power efficiency are paramount
*  Automotive Electronics : Infotainment systems, lighting controls, and low-power DC-DC converters (non-safety-critical applications)
*  Industrial Control Systems : PLC I/O protection, sensor interface circuits, and low-voltage power distribution
*  Telecommunications : Base station power supplies, network equipment, and RF signal processing circuits
*  Renewable Energy : Solar charge controllers and small wind turbine power conditioning circuits

### 1.3 Practical Advantages and Limitations

 Advantages: 
*  Low Forward Voltage Drop : Typically 0.55V at 5A (at 25°C), reducing power dissipation and improving system efficiency
*  Fast Switching Speed : Reverse recovery time <10ns, making it suitable for high-frequency switching applications up to several MHz
*  High Current Capability : Continuous forward current rating of 5A in a compact SMB (DO-214AA) package
*  Good Thermal Performance : Low thermal resistance junction-to-case (RθJC) enables effective heat dissipation
*  Surface-Mount Design : Compatible with automated assembly processes and suitable for high-density PCB layouts

 Limitations: 
*  Limited Reverse Voltage : Maximum repetitive reverse voltage of 200V may be insufficient for some industrial or offline applications
*  Temperature Sensitivity : Forward voltage decreases with increasing temperature, which can affect current sharing in parallel configurations
*  Leakage Current : Higher reverse leakage current compared to standard PN junction diodes, especially at elevated temperatures
*  Surge Current Limitation : Limited I²t rating compared to rectifier diodes, requiring careful consideration of inrush current scenarios
*  ESD Sensitivity : Schottky diodes are generally more sensitive to electrostatic discharge than standard diodes

## 2. Design Considerations

### 2.1 Common Design Pitfalls and Solutions

 Pitfall 1: Thermal Management Underestimation 
*  Problem : Designers often overlook the thermal implications of the low forward voltage, assuming minimal heat generation
*  Solution : Calculate power dissipation (P = Vf × If) at maximum expected current and ambient temperature. Use thermal vias and adequate copper area for heat sinking

 Pitfall 2: Reverse Recovery Oscillations 
*  Problem : Despite fast recovery, parasitic inductance can cause ringing during reverse recovery in high-di/dt applications
*  Solution : Implement snubber circuits (RC networks) across the diode and minimize loop inductance through careful layout

 Pitfall 3: Parallel Operation Issues 
*  Problem : Direct parallel connection can lead to current imbalance due to Vf temperature coefficient
*  Solution : Use separate current-limiting resistors or select diodes from the same manufacturing lot. Consider using a single higher-current diode instead

 Pitfall 4:

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