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KDR725U from KEC

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KDR725U

Manufacturer: KEC

USQ PACKAGE

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
KDR725U KEC 3000 In Stock

Description and Introduction

USQ PACKAGE The KDR725U is a P-Channel MOSFET manufactured by KEC (Korea Electronics Company). Below are the specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Type:** P-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (VDSS):** -30V  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **Drain Current (ID):** -4.5A  
- **Power Dissipation (PD):** 1.4W (Ta=25°C)  
- **On-Resistance (RDS(ON)):** 85mΩ (VGS = -10V, ID = -4.5A)  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** -1.0V to -2.5V  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Descriptions:**  
- The KDR725U is a P-Channel MOSFET designed for power switching applications.  
- It is suitable for low-voltage, high-efficiency power management circuits.  

### **Features:**  
- Low on-resistance for reduced conduction losses.  
- Fast switching performance.  
- High reliability and ruggedness.  
- Lead-free and RoHS compliant.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

Application Scenarios & Design Considerations

USQ PACKAGE # Technical Documentation: KDR725U Schottky Barrier Diode

 Manufacturer : KEC  
 Component Type : Schottky Barrier Diode  
 Document Version : 1.0  
 Last Updated : October 2023

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## 1. Application Scenarios

### 1.1 Typical Use Cases
The KDR725U is a surface-mount Schottky barrier diode designed for high-frequency, low-loss rectification applications. Its primary use cases include:

*    High-Frequency Rectification : Due to its fast switching characteristics and low forward voltage drop (typically 0.55V), it is ideal for switch-mode power supply (SMPS) output rectification in DC-DC converters, particularly in buck and boost topologies operating at frequencies above 100 kHz.
*    Reverse Polarity Protection : Commonly placed in series on the power input line of PCBs to protect sensitive circuitry from damage caused by accidental reverse battery or supply connection.
*    Freewheeling/Clamping Diode : Used in inductive load circuits (e.g., with relays, solenoids, or motor drivers) to provide a safe path for current decay, suppressing voltage spikes and protecting switching elements like MOSFETs or transistors.
*    OR-ing Diode in Power Paths : Employed in redundant power supply systems or battery backup circuits to allow current flow from the higher voltage source while isolating the other, benefiting from its low forward voltage to minimize power loss.

### 1.2 Industry Applications
*    Consumer Electronics : Used extensively in AC-DC adapters, USB power delivery circuits, laptop power boards, and LED TV power supplies for efficient secondary-side rectification.
*    Automotive Electronics : Applied in infotainment systems, LED lighting drivers, and DC-DC converter modules within vehicles, where efficiency and thermal performance are critical.
*    Telecommunications & Networking : Found in power over Ethernet (PoE) equipment, router/switch power modules, and base station power systems for high-efficiency power conversion.
*    Industrial Power Systems : Utilized in programmable logic controller (PLC) power supplies, industrial motor drives, and instrumentation where reliable, low-loss rectification is required.

### 1.3 Practical Advantages and Limitations

 Advantages: 
*    High Efficiency : The low forward voltage drop (`V_F`) reduces conduction losses significantly compared to standard PN-junction diodes, leading to cooler operation and higher system efficiency.
*    Fast Recovery : As a majority-carrier device, it has virtually no reverse recovery time (`t_rr ≈ 0`), eliminating reverse recovery losses and associated noise, which is crucial for high-frequency operation.
*    Good Thermal Performance : The SMA package offers a low thermal resistance, facilitating effective heat dissipation via the PCB.
*    High Surge Current Capability : Can withstand high initial inrush currents, making it robust in applications with capacitive loads.

 Limitations: 
*    Higher Reverse Leakage Current : The reverse leakage current (`I_R`) is typically higher than that of PN diodes, especially at elevated temperatures. This can lead to increased standby power loss in some applications.
*    Lower Maximum Reverse Voltage : Schottky diodes generally have lower peak reverse voltage (`V_RRM`) ratings. The KDR725U's 40V rating makes it unsuitable for offline or high-voltage rectification.
*    Thermal Sensitivity : Both forward voltage and reverse leakage are more temperature-sensitive than silicon diodes. Careful thermal management is essential.

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## 2. Design Considerations

### 2.1 Common Design Pitfalls and Solutions
*    Pitfall 1: Thermal Runaway due to High `I_R` . At high ambient temperatures, the increased reverse leakage current can cause additional heating, potentially leading to thermal runaway.
    *    Solution : Ensure the operating junction temperature (`T_J

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