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KDR721S from KEC

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KDR721S

Manufacturer: KEC

SCHOTTKY BARRIER TYPE DIODE(CATHODE COMMAND)

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
KDR721S KEC 3000 In Stock

Description and Introduction

SCHOTTKY BARRIER TYPE DIODE(CATHODE COMMAND) Here is the factual information about the part KDR721S from the manufacturer KEC:  

- **Manufacturer**: KEC (Korea Electronics Company)  
- **Part Number**: KDR721S  
- **Type**: Schottky Barrier Diode  
- **Package**: SOD-123FL  
- **Maximum Reverse Voltage (VR)**: 40V  
- **Average Forward Current (IF)**: 1A  
- **Peak Forward Surge Current (IFSM)**: 30A  
- **Forward Voltage (VF)**: 0.5V (typical) at 1A  
- **Reverse Leakage Current (IR)**: 0.5mA (maximum) at VR = 40V  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  
- **Features**:  
  - Low forward voltage drop  
  - High current capability  
  - Fast switching speed  
  - Lead-free and RoHS compliant  

This information is based on the manufacturer's datasheet. Let me know if you need further details.

Application Scenarios & Design Considerations

SCHOTTKY BARRIER TYPE DIODE(CATHODE COMMAND) # Technical Documentation: KDR721S Schottky Barrier Diode

 Manufacturer : KEC  
 Component Type : Schottky Barrier Diode  
 Document Version : 1.0  
 Date : October 26, 2023

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## 1. Application Scenarios

### 1.1 Typical Use Cases
The KDR721S is a surface-mount Schottky barrier diode designed for high-frequency, low-voltage applications where fast switching and low forward voltage drop are critical. Its primary use cases include:

*    Power Supply Protection : Employed as a reverse polarity protection diode in DC input stages of power supplies, consumer electronics, and automotive systems. Its low forward voltage (Vf) minimizes power loss.
*    Freewheeling/Clamping Diode : In switching regulator circuits (buck, boost) and motor drive circuits, it provides a path for inductive current when the main switch turns off, preventing voltage spikes and protecting MOSFETs or IGBTs.
*    OR-ing Diode : Used in redundant power supply systems or battery backup circuits to allow current flow from the highest voltage source while isolating others, preventing back-feeding.
*    Signal Demodulation/Rectification : Suitable for high-frequency signal rectification in RF detection circuits and mixer stages due to its fast recovery characteristics.

### 1.2 Industry Applications
*    Consumer Electronics : Smartphones, tablets, laptops (for DC jack protection, USB power path management).
*    Automotive Electronics : Infotainment systems, body control modules (BCM), lighting systems (for reverse battery protection and load dump suppression).
*    Industrial Control : PLC I/O modules, sensor interfaces, low-voltage DC/DC converter modules.
*    Telecommunications : Network switches, routers, and base station power subsystems.
*    Renewable Energy : Solar charge controllers and low-power MPPT circuits.

### 1.3 Practical Advantages and Limitations

 Advantages: 
*    Low Forward Voltage Drop (Vf) : Typically 0.55V at 1A, significantly lower than standard PN junction diodes (~0.7V), leading to higher efficiency and reduced heat generation.
*    Fast Switching Speed : Virtually no reverse recovery time (trr), minimizing switching losses and enabling operation at high frequencies (up to several MHz).
*    Low Leakage Current : Ensures good blocking performance in off-state conditions.
*    SMD Package (SOD-123FL) : Saves board space and is compatible with automated assembly processes.

 Limitations: 
*    Lower Reverse Voltage Rating : The maximum repetitive peak reverse voltage (VRRM) is typically 100V for this series, making it unsuitable for high-voltage applications (e.g., offline AC/DC converters).
*    Higher Reverse Leakage vs. PN Diodes : Leakage current increases more significantly with temperature compared to standard diodes, which can be a concern in high-temperature environments.
*    Sensitivity to Voltage Transients : Schottky diodes are generally more susceptible to damage from voltage surges (ESD, surge); external transient voltage suppression (TVS) may be required in harsh environments.

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## 2. Design Considerations

### 2.1 Common Design Pitfalls and Solutions
*    Pitfall 1: Thermal Runaway Due to High Leakage 
    *    Issue : At high ambient temperatures, reverse leakage current (IR) can increase substantially, causing additional power dissipation and further temperature rise.
    *    Solution : Carefully calculate worst-case power dissipation (P_diss = Vf * If_avg + VR * IR) at maximum junction temperature (Tj). Ensure adequate PCB copper area (thermal pad) for heat sinking. Derate the diode's current capability at high temperatures.

*    Pitfall

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