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KDR701S from KEC

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KDR701S

Manufacturer: KEC

SCHOTTKY BARRIER TYPE DIODE(FOR HIGH FREQUENCY RECTIFICATION)

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
KDR701S KEC 3000 In Stock

Description and Introduction

SCHOTTKY BARRIER TYPE DIODE(FOR HIGH FREQUENCY RECTIFICATION) The part **KDR701S** is manufactured by **KEC (Korea Electronics Corporation)**.  

### **Specifications:**  
- **Type:** Schottky Barrier Diode  
- **Package:** SOD-123FL  
- **Maximum Reverse Voltage (VR):** 40V  
- **Average Forward Current (IF):** 1A  
- **Peak Forward Surge Current (IFSM):** 30A  
- **Forward Voltage (VF):** 0.55V (at 1A)  
- **Reverse Leakage Current (IR):** 0.5mA (at VR = 40V)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- The **KDR701S** is a high-efficiency Schottky diode designed for low-power-loss applications.  
- It is commonly used in power supply circuits, reverse polarity protection, and DC-DC converters.  

### **Features:**  
- **Low Forward Voltage Drop** for reduced power loss.  
- **Fast Switching Speed** for high-frequency applications.  
- **High Surge Current Capability** for reliability in transient conditions.  
- **Compact SOD-123FL Package** for space-saving PCB designs.  

This information is based on the manufacturer's datasheet. For detailed performance characteristics, refer to the official KEC documentation.

Application Scenarios & Design Considerations

SCHOTTKY BARRIER TYPE DIODE(FOR HIGH FREQUENCY RECTIFICATION) # Technical Documentation: KDR701S Schottky Barrier Diode

 Manufacturer : KEC  
 Document Version : 1.0  
 Last Updated : October 2023

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## 1. Application Scenarios

### 1.1 Typical Use Cases
The KDR701S is a surface-mount Schottky barrier diode designed for high-frequency, low-power switching applications. Its primary use cases include:

*    Power Supply Protection:  Employed as a reverse polarity protection diode in DC input circuits for consumer electronics, IoT devices, and portable equipment. Its low forward voltage drop (Vf) minimizes power loss and heat generation.
*    Freewheeling/Clamping Diode:  Used in inductive load switching circuits (e.g., driving relays, solenoids, or small motors) to suppress voltage spikes by providing a path for current decay, thereby protecting sensitive switching transistors or MOSFETs.
*    Signal Demodulation & Mixing:  Suitable for low-level RF and microwave signal detection, mixing, and sampling in communication modules and sensor interfaces due to its fast switching speed and low junction capacitance.
*    OR-ing Diode in Redundant Power Paths:  Facilitates seamless power source switching in systems with battery-backup or dual-supply configurations, preventing back-feeding between sources.

### 1.2 Industry Applications
*    Consumer Electronics:  Smartphones, tablets, wearables, and Bluetooth accessories for battery management and USB port protection.
*    Automotive Electronics:  Non-critical ECUs, infotainment systems, and lighting modules for transient suppression and DC rail isolation.
*    Industrial Control:  PLC I/O modules, sensor interfaces, and low-power motor drives requiring reliable switching and protection.
*    Telecommunications:  Power over Ethernet (PoE) splitters, network switches, and RF front-end modules for signal conditioning.
*    Renewable Energy:  Solar charge controllers and power optimizers for blocking reverse current flow from batteries.

### 1.3 Practical Advantages and Limitations

 Advantages: 
*    Low Forward Voltage:  Typically 0.37V at 0.1A, leading to higher efficiency and reduced thermal stress compared to standard PN-junction diodes.
*    Fast Switching Speed:  Reverse recovery time (trr) is negligible, making it ideal for high-frequency applications (>100 kHz) without significant switching losses.
*    Low Junction Capacitance:  Minimizes signal distortion in high-speed circuits.
*    Compact Package:  SOD-323 (SC-76) surface-mount package saves PCB space and is compatible with automated assembly processes.

 Limitations: 
*    Limited Reverse Voltage Rating:  Maximum repetitive peak reverse voltage (VRRM) is 40V, restricting its use to low-voltage circuits (typically ≤ 24V systems with safety margin).
*    Higher Reverse Leakage Current:  Compared to silicon PN diodes, Schottky diodes exhibit higher reverse leakage (IR), which can be a concern in high-temperature environments or precision analog circuits.
*    Lower Surge Current Tolerance:  Less robust than standard rectifiers against high inrush or transient currents; requires external protection (e.g., fuses, TVS diodes) in harsh electrical environments.

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## 2. Design Considerations

### 2.1 Common Design Pitfalls and Solutions
*    Pitfall 1: Thermal Runaway Due to High Leakage.  At elevated ambient temperatures, reverse leakage current increases exponentially, potentially leading to self-heating and failure.
    *    Solution:  Derate the operating voltage and current. Ensure adequate PCB copper area for heat sinking. For high-temperature applications (>85°C), consider diodes with lower leakage specifications or add thermal shutdown circuitry.
*    Pitfall 2: Voltage Overshoot in Switching Circuits.  Even with fast switching, parasitic inductance in traces can cause damaging voltage spikes

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