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KDR412 from KEC

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KDR412

Manufacturer: KEC

SCHOTTKY BARRIER TYPE DIODE(LOW POWER RECTIFICATION, FOR SWITCHING POWER SUPPLY)

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
KDR412 KEC 7000 In Stock

Description and Introduction

SCHOTTKY BARRIER TYPE DIODE(LOW POWER RECTIFICATION, FOR SWITCHING POWER SUPPLY) The part **KDR412** is manufactured by **KEC (Korea Electronics Company)**.  

### **Specifications:**  
- **Type:** Rectifier Diode  
- **Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage (VRRM):** 1000V  
- **Average Forward Current (IF(AV)):** 1A  
- **Peak Forward Surge Current (IFSM):** 30A  
- **Forward Voltage Drop (VF):** 1.1V (typical at 1A)  
- **Reverse Leakage Current (IR):** 5µA (maximum at rated voltage)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** DO-41  

### **Descriptions and Features:**  
- Designed for general-purpose rectification in power supplies and other applications.  
- High reverse voltage capability.  
- Low forward voltage drop for efficient power conversion.  
- Reliable and robust construction for long-term performance.  
- Suitable for high-frequency applications due to fast switching characteristics.  

This information is based solely on the provided knowledge base.

Application Scenarios & Design Considerations

SCHOTTKY BARRIER TYPE DIODE(LOW POWER RECTIFICATION, FOR SWITCHING POWER SUPPLY) # Technical Documentation: KDR412 Schottky Barrier Diode

## 1. Application Scenarios

### 1.1 Typical Use Cases
The KDR412 is a Schottky barrier diode primarily employed in high-frequency, low-voltage applications where fast switching and minimal forward voltage drop are critical. Common implementations include:

-  Power Supply Protection : Used as reverse polarity protection in DC power inputs, leveraging its low forward voltage (Vf) to minimize power loss
-  Freewheeling/Clamping Diodes : In switching power supplies and DC-DC converters to provide safe current paths during inductive load switching
-  OR-ing Circuits : In redundant power systems where multiple power sources require isolation
-  Signal Demodulation : In RF circuits due to its fast recovery characteristics
-  Voltage Clamping : Protecting sensitive components from voltage spikes in automotive and industrial environments

### 1.2 Industry Applications

 Automotive Electronics :
- ECU protection circuits
- LED lighting systems (reverse voltage protection)
- Infotainment system power management
- 12V/24V battery management systems

 Consumer Electronics :
- USB power port protection
- Portable device charging circuits
- LCD/LED display backlight drivers
- Adapter input protection

 Industrial Systems :
- PLC I/O protection
- Motor drive circuits
- Solar panel bypass diodes in small-scale installations
- Battery backup systems

 Telecommunications :
- Base station power supplies
- Network equipment protection circuits
- RF signal detection circuits

### 1.3 Practical Advantages and Limitations

 Advantages :
-  Low Forward Voltage Drop : Typically 0.55V at 1A (compared to 0.7-1.1V for standard PN diodes), reducing power dissipation
-  Fast Switching Speed : Reverse recovery time <10ns, suitable for high-frequency applications up to several MHz
-  High Current Capability : 1A continuous forward current rating
-  Temperature Performance : Maintains characteristics across -65°C to +125°C operating range
-  Compact Packaging : SOD-123FL surface mount package saves board space

 Limitations :
-  Lower Reverse Voltage Rating : 40V maximum limits high-voltage applications
-  Higher Reverse Leakage Current : Compared to PN diodes, especially at elevated temperatures
-  Thermal Considerations : Requires careful thermal management at maximum current ratings
-  Voltage Derating : Recommended to operate at ≤80% of rated voltage for reliability

## 2. Design Considerations

### 2.1 Common Design Pitfalls and Solutions

 Pitfall 1: Thermal Runaway in Parallel Configurations 
-  Issue : Schottky diodes exhibit negative temperature coefficient for forward voltage at lower currents, potentially causing current hogging
-  Solution : Implement individual current-sharing resistors or use single diode with adequate rating rather than parallel devices

 Pitfall 2: Reverse Recovery Oscillations 
-  Issue : Despite fast recovery, parasitic inductance can cause ringing during switching transitions
-  Solution : Add small RC snubber networks (10-100Ω with 100pF-1nF) close to diode terminals

 Pitfall 3: Overvoltage Stress 
-  Issue : Voltage spikes exceeding 40V Vrrm can cause immediate or latent failures
-  Solution : Implement TVS diodes or varistors for additional protection in high-noise environments

 Pitfall 4: Inadequate Heat Dissipation 
-  Issue : Operating at full 1A rating without thermal management reduces reliability
-  Solution : Follow thermal derating curves, use adequate copper area (≥30mm² per pad), consider thermal vias

### 2.2 Compatibility Issues with Other Components

 With Microcontrollers :
- Ensure diode's forward voltage drop doesn't interfere with logic level thresholds
-

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