SCHOTTKY BARRIER TYPE DIODE(LOW VOLTAGE HIGH SPEED SWITCHING) The part **KDR367E** is manufactured by **KEC (Korea Electronics Company)**. Below are the specifications, descriptions, and features based on available factual information:

### **Specifications:**
- **Type:** Schottky Barrier Diode  
- **Maximum Average Forward Current (IF(AV)):** 3A  
- **Peak Forward Surge Current (IFSM):** 80A  
- **Reverse Voltage (VR):** 60V  
- **Forward Voltage (VF):** 0.55V (typical at 3A)  
- **Reverse Leakage Current (IR):** 0.5mA (maximum at rated voltage)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** DO-201AD (Axial Lead)  

### **Descriptions:**
- The **KDR367E** is a **Schottky barrier rectifier diode** designed for high-efficiency power applications.  
- It is optimized for **low forward voltage drop** and **fast switching** performance.  
- Suitable for **switching power supplies, DC-DC converters, and reverse polarity protection circuits**.  

### **Features:**
- **Low forward voltage drop** for reduced power loss.  
- **High current capability** with a surge current rating of 80A.  
- **Fast switching speed** for high-frequency applications.  
- **High-temperature operation** up to 150°C.  
- **Lead-free and RoHS compliant**.  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation. For detailed performance curves and reliability data, refer to the official **KEC datasheet**.

SCHOTTKY BARRIER TYPE DIODE(LOW VOLTAGE HIGH SPEED SWITCHING) # Technical Documentation: KDR367E Schottky Barrier Diode

## 1. Application Scenarios

### 1.1 Typical Use Cases
The KDR367E is a surface-mount Schottky barrier diode designed for high-frequency, low-power applications where fast switching and low forward voltage drop are critical. Typical use cases include:

-  Voltage Clamping Circuits : Used in protection circuits to prevent voltage spikes from damaging sensitive components, particularly in low-voltage digital systems (3.3V, 5V).
-  Reverse Polarity Protection : Employed in battery-powered devices and DC input circuits to prevent damage from incorrect power supply connection.
-  Freewheeling/ Flyback Diodes : In switching power supplies, DC-DC converters, and motor drive circuits to provide a path for inductive current when the switch turns off.
-  Signal Demodulation : In RF and communication circuits due to its fast recovery characteristics.
-  OR-ing Diodes : In power multiplexing or redundant power supply configurations to isolate multiple power sources.

### 1.2 Industry Applications
-  Consumer Electronics : Smartphones, tablets, portable media players for USB power protection and battery management.
-  Automotive Electronics : Infotainment systems, body control modules (BCM), and lighting circuits where reverse battery protection is required.
-  Industrial Control Systems : PLC I/O protection, sensor interfaces, and low-power switching power supplies.
-  Telecommunications : Base station power supplies, network equipment, and RF modules.
-  Renewable Energy Systems : Solar charge controllers and small wind turbine regulators for blocking reverse current flow.

### 1.3 Practical Advantages and Limitations

 Advantages: 
-  Low Forward Voltage Drop (VF) : Typically 0.37V at 1A, reducing power loss and improving efficiency in power path applications.
-  Fast Switching Speed : Minimal reverse recovery time (trr < 10 ns), making it suitable for high-frequency switching applications up to several MHz.
-  Low Leakage Current : Reverse current (IR) is typically in the microampere range at rated voltage, minimizing standby power consumption.
-  Compact Package : SOD-123FL surface-mount package saves board space and is compatible with automated assembly processes.
-  Good Thermal Performance : The package features an exposed pad for improved heat dissipation.

 Limitations: 
-  Limited Reverse Voltage Rating : Maximum repetitive reverse voltage (VRRM) of 40V restricts use to low-voltage applications.
-  Temperature Sensitivity : Forward voltage decreases with increasing temperature, which must be considered in precision applications.
-  Current Handling : Maximum average forward current (IO) of 3A may be insufficient for high-power applications without parallel configurations.
-  Voltage Overshoot Sensitivity : Schottky diodes are more susceptible to damage from voltage transients compared to PN junction diodes.

## 2. Design Considerations

### 2.1 Common Design Pitfalls and Solutions

 Pitfall 1: Thermal Management Underestimation 
-  Problem : Designers often overlook the need for thermal analysis, leading to premature failure under continuous high-current conditions.
-  Solution : Calculate power dissipation (PD = VF × IF) and ensure the junction temperature (TJ) remains below the maximum rating of 150°C. Use the following thermal calculation:
  ```
  TJ = TA + (PD × RθJA)
  ```
  Where TA is ambient temperature and RθJA is junction-to-ambient thermal resistance (typically 50°C/W for SOD-123FL without heatsinking).

 Pitfall 2: Reverse Voltage Margin Insufficiency 
-  Problem : Operating too close to the maximum reverse voltage rating (40V) without adequate margin for transients.
-  Solution : Derate the maximum operating voltage to 70-80% of VRRM (28-32V). Add transient voltage suppression