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K9K2G08U0M-PIB0 from SAMSUNG

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K9K2G08U0M-PIB0

Manufacturer: SAMSUNG

256M x 8 Bit / 128M x 16 Bit NAND Flash Memory

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
K9K2G08U0M-PIB0,K9K2G08U0MPIB0 SAMSUNG 3198 In Stock

Description and Introduction

256M x 8 Bit / 128M x 16 Bit NAND Flash Memory The part **K9K2G08U0M-PIB0** is a NAND Flash memory chip manufactured by **SAMSUNG**. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information:  

### **Specifications:**  
- **Memory Type:** NAND Flash  
- **Density:** 2Gb (256MB)  
- **Organization:**  
  - Page Size: 2KB + 64B (spare area)  
  - Block Size: 128KB (64 pages per block)  
- **Interface:** Asynchronous 8-bit I/O  
- **Voltage Supply:**  
  - **Vcc:** 2.7V - 3.6V  
- **Operating Temperature:**  
  - Commercial: 0°C to +70°C  
  - Industrial: -40°C to +85°C (if applicable)  
- **Package Type:** TSOP-48  
- **Endurance:**  
  - Typically 100,000 program/erase cycles per block  
- **Data Retention:**  
  - Up to 10 years (depending on usage conditions)  

### **Descriptions & Features:**  
- **High Performance:**  
  - Fast page read/program operations  
  - Block erase time: ~2ms  
- **Reliability Features:**  
  - Built-in ECC (Error Correction Code) support  
  - Bad block management (factory-marked and dynamic)  
- **Command Set:**  
  - Standard NAND Flash command interface  
  - Supports sequential read/write operations  
- **Applications:**  
  - Used in embedded systems, consumer electronics, and storage devices.  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation. For exact details, refer to Samsung's official specifications.

Application Scenarios & Design Considerations

256M x 8 Bit / 128M x 16 Bit NAND Flash Memory # Technical Documentation: K9K2G08U0MPIB0 NAND Flash Memory

 Manufacturer : SAMSUNG  
 Component : K9K2G08U0MPIB0 (2Gb NAND Flash Memory, 3.3V, x8 I/O, 2K+64 Byte Page Size)  
 Revision : 1.0  
 Date : October 26, 2023  

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## 1. Application Scenarios

### 1.1 Typical Use Cases
The K9K2G08U0MPIB0 is a 2Gb (256MB) SLC (Single-Level Cell) NAND flash memory organized as 2048 blocks, with each block containing 64 pages of (2K + 64) bytes. Its primary use cases include:

-  Embedded Storage : Frequently employed in embedded systems requiring moderate-density non-volatile storage with reliable performance.
-  Boot Code Storage : Suitable for storing bootloaders and initial application code in microcontroller-based systems, where execution-in-place (XIP) from NOR flash is supplemented by NAND for larger code segments.
-  Data Logging : Ideal for applications that require sequential write operations, such as data loggers in industrial monitoring, automotive black boxes, or medical devices.
-  Firmware Updates : Used to store firmware images that can be updated in the field via serial interfaces (e.g., UART, USB, Ethernet).
-  Multimedia Storage : In cost-sensitive consumer electronics (e.g., digital photo frames, basic MP3 players) for storing media files, though with limitations for high-speed streaming.

### 1.2 Industry Applications
-  Consumer Electronics : Digital cameras, set-top boxes, printers, and gaming consoles for auxiliary storage.
-  Industrial Automation : PLCs (Programmable Logic Controllers), HMIs (Human-Machine Interfaces), and sensor nodes where reliability over extended temperature ranges is critical.
-  Automotive : Infotainment systems, instrument clusters, and telematics units (non-safety-critical applications), noting that this specific component is not AEC-Q100 qualified.
-  Networking : Routers, switches, and IoT gateways for configuration storage, log retention, and lightweight operating systems.
-  Medical Devices : Portable diagnostic equipment and patient monitors for storing calibration data and event history.

### 1.3 Practical Advantages and Limitations

 Advantages: 
-  Cost-Effectiveness : Lower cost per bit compared to NOR flash, making it suitable for high-density storage needs.
-  High Endurance : SLC technology offers approximately 100,000 program/erase cycles per block, superior to MLC/TLC NAND.
-  Power Efficiency : Low active and standby current consumption, beneficial for battery-powered devices.
-  Proven Reliability : Mature SLC process with robust data retention (typically 10 years at 25°C).

 Limitations: 
-  Requires ECC : Mandates Error Correction Code (ECC) implementation (typically 1-bit correction per 512 bytes) due to inherent bit error rates. Systems must integrate hardware or software ECC.
-  Block Management Overhead : Necessitates Flash Translation Layer (FTL) software for wear leveling, bad block management, and logical-to-physical address mapping, increasing firmware complexity.
-  Slower Random Read : Page-based access (2K byte page) results in slower random read performance compared to NOR flash; not ideal for XIP without shadowing to RAM.
-  Limited Temperature Range : Commercial grade (0°C to 70°C) limits use in harsh environments without additional qualification.

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## 2. Design Considerations

### 2.1 Common Design Pitfalls and Solutions
-  Pitfall 1: Ignoring ECC Requirements   
   Solution : Implement at least 1-bit ECC per 512 bytes using

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