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K9F1G08U0M-PIB0 from SAMSUNG

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K9F1G08U0M-PIB0

Manufacturer: SAMSUNG

1Gb Gb 1.8V NAND Flash Errata

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
K9F1G08U0M-PIB0,K9F1G08U0MPIB0 SAMSUNG 6990 In Stock

Description and Introduction

1Gb Gb 1.8V NAND Flash Errata The **K9F1G08U0M-PIB0** is a NAND Flash memory device manufactured by **SAMSUNG**. Below are its key specifications, descriptions, and features based on factual information:  

### **Specifications:**  
- **Memory Type:** NAND Flash  
- **Density:** 1Gbit (128M x 8-bit)  
- **Organization:**  
  - **Page Size:** 2K + 64 Bytes (2112 Bytes total)  
  - **Block Size:** 128K + 4K Bytes (132K Bytes total)  
  - **Plane Size:** 1024 Blocks  
- **Voltage Supply:**  
  - **Vcc:** 2.7V ~ 3.6V (for operation)  
- **Interface:** Asynchronous (8-bit I/O)  
- **Operating Temperature:**  
  - **Commercial:** 0°C to +70°C  
  - **Industrial:** -40°C to +85°C  
- **Endurance:**  
  - **Program/Erase Cycles:** 100,000 cycles (typical)  
- **Data Retention:**  
  - **10 years** (at 25°C)  
- **Package Type:**  
  - **TSOP-48** (Thin Small Outline Package)  

### **Descriptions & Features:**  
- **High-Performance NAND Flash:** Designed for high-speed data storage applications.  
- **On-Chip ECC (Error Correction Code):** Supports internal error detection and correction.  
- **Sequential Read/Write Operations:** Optimized for fast data transfer.  
- **Command/Address/Data Multiplexed I/O:** Uses an 8-bit bus for efficient interfacing.  
- **Reliable Data Storage:** Suitable for embedded systems, consumer electronics, and industrial applications.  
- **Low Power Consumption:** Designed for energy-efficient operation.  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

Application Scenarios & Design Considerations

1Gb Gb 1.8V NAND Flash Errata # Technical Documentation: K9F1G08U0MPIB0 NAND Flash Memory

 Manufacturer : SAMSUNG  
 Component : K9F1G08U0MPIB0 (1Gb NAND Flash Memory, 3.3V, x8 I/O, SLC)  
 Revision : 1.0  
 Date : October 26, 2023

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## 1. Application Scenarios

### 1.1 Typical Use Cases
The K9F1G08U0MPIB0 is a 1-gigabit (128-megabyte) Single-Level Cell (SLC) NAND flash memory device organized as 128M x 8 bits. Its primary use cases include:

-  Embedded System Storage : Frequently employed as non-volatile storage in microcontroller-based systems where moderate capacity and reliability are required. Common in industrial controllers, IoT edge devices, and automotive subsystems.
-  Boot Code Storage : Suitable for storing bootloaders and initial application code in systems that boot from external flash, often paired with a small SRAM or internal MCU memory for execution.
-  Data Logging : Used in data acquisition systems, sensor nodes, and portable instruments to store logged data due to its balance of capacity, speed, and endurance.
-  Firmware/Configuration Storage : Stores firmware updates, device parameters, and user settings in consumer electronics, networking equipment, and telecommunications devices.
-  Low-Cost Mass Storage : Acts as primary storage in cost-sensitive devices where complex flash management (like SSDs) is unnecessary, such as digital picture frames, simple media players, and printers.

### 1.2 Industry Applications
-  Consumer Electronics : Digital TVs, set-top boxes, gaming accessories, and home automation controllers.
-  Industrial Automation : PLCs, HMIs, motor drives, and measurement tools requiring reliable, moderate-speed storage.
-  Automotive : Infotainment systems, instrument clusters, telematics, and ADAS modules (non-safety-critical).
-  Networking & Communications : Routers, switches, modems, and wireless access points for firmware and configuration data.
-  Medical Devices : Portable monitors, diagnostic tools, and imaging equipment where data integrity is prioritized over extreme density.

### 1.3 Practical Advantages and Limitations

 Advantages: 
-  SLC Reliability : Offers higher endurance (typically 100K program/erase cycles per block) and better data retention compared to MLC/TLC NAND, making it suitable for frequent write applications.
-  Simple Interface : Uses a multiplexed 8-bit I/O bus for commands, addresses, and data, reducing pin count and simplifying PCB routing.
-  Low Active Power : Typical active current of 25 mA during read/program, suitable for battery-powered or energy-conscious designs.
-  Hardware ECC Support : Internal ECC engine (1-bit/528 bytes) assists in data integrity, though external ECC is recommended for critical applications.
-  Wide Temperature Support : Industrial-grade versions operate from -40°C to 85°C, fitting harsh environments.

 Limitations: 
-  Limited Capacity : 1Gb density is insufficient for high-data-volume applications like video recording or large file systems.
-  Sequential Access Nature : Poor random access performance; optimal for sequential data streams.
-  Block Management Overhead : Requires firmware-based Flash Translation Layer (FTL) for wear leveling and bad block management, increasing software complexity.
-  Endurance Wear-Out : While robust for SLC, continuous writing without wear leveling will prematurely degrade blocks.
-  Slower Write Speeds : Page program time (~200 µs) and block erase time (~2 ms) are slower than NOR flash for code execution.

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## 2. Design Considerations

### 2.1 Common Design Pitfalls and Solutions
-  Pitfall

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